相容薄膜電路 的英文怎麼說

中文拼音 [xiāngróngbómódiànlù]
相容薄膜電路 英文
compatible thin-film circuit
  • 相 : 相Ⅰ名詞1 （相貌; 外貌） looks; appearance 2 （坐、立等的姿態） bearing; posture 3 [物理學] （相位...
  • 薄 : 名詞[方言] （浮萍） duckweed
  • 膜 : 名詞1. [生物學] （像薄皮的組織） membrane 2. （像膜的薄皮） film; thin coating
  • 電 : Ⅰ名詞1 （有電荷存在和電荷變化的現象） electricity 2 （電報） telegram; cable Ⅱ動詞1 （觸電） give...
  • 路 : 1 （道路） road; way; path 2 （路程） journey; distance 3 （途徑; 門路） way; means 4 （條理） se...
  • 相容 : consistent; compatible; tolerant
  • 薄膜 : thin film; film; diaphragm
  • 電路 : [訊] circuit （ckt）; electric circuit; electrocircuit電路板 circuit board; 電路保持 guard of a c...
  1. Among various fabrication techniques of thin film, the sol - gel process has gained much interest for the preparation of pzt thin film, due to ihe advantages of good homogeneity, easy control of composition, low in - ill i reaving temperature, easy formation of large area thin films pb ( zrxti : - k ) 0 :, ( pzt ) films were prepared on the ito coated glass plates and low resistor silicon wafer in sol - gel dip - coating process associated wi di heat treatment : at different temperatures and characterized by x - ray diffraction ( xrd ) and transmission electron microscopy ( tem ). lt is shown that the pzt ferroelectric thin films with ( 110 ) preferred orientation and well - crystallized perovskite structure can be obtained after annealing at 680 ? for 30 minutes on ito substrate and at 800 " c for lornin on silicon substrate

    Pzt的制備方法有很多，其中溶膠?凝膠（ sol - gel ）方法可以和集成電路（ ic ）光刻工藝相互兼容，處理溫度低，有大面積塗敷性能，能精確地控制組分，無需復雜的真空設備，成本低廉，所以對于集成鐵電薄膜電容的應用這種方法有很廣闊的前景。本文利用sol - gel技術在摻錫的in _ 2o _ 3透明導電薄膜（ ito ）襯底和低阻硅襯底上成功地制備了pzt鐵電薄膜。運用了x射線衍射， sawyer - tower電路和lcr電橋分別對薄膜的晶化溫度，結構和電學性能進行了測試。
  2. Compared with bst materials, especially in thin films, ps t has smaller ferroelectric critical size, lower crystallization temperature, and compatible fabrication with si micro - electronics, so it can meet the need of the high quality si - based integrate circuit ( ic ). moreover, it is important to promote the development of the miniaturization and integration for the modern devices

    與bst相比，特別作為薄膜材料， pst的鐵電臨界尺寸較小，晶化溫度較低，制備工藝與si微電子工藝兼容，更能夠滿足高性能的si基集成電路的需要，對推動現代器件發展的小型化和集成化具有十分重要的意義。
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