砷化鎵半導體 的英文怎麼說

中文拼音 [shēnhuàjiābàndǎotǐ]
砷化鎵半導體 英文
gallium arsenide semiconductor
  • 砷 : 名詞[化學] （非金屬元素） arsenic （as）
  • 鎵 : 名詞[化學] gallium （31號元素, 符號 ga）
  • 半 : Ⅰ數詞1 （二分之一） half 2 （在 中間的） in the middle; halfway 3 （比喻很少） very little; the l...
  • 導 : 動詞1. （引導） lead; guide 2. （傳導） transmit; conduct 3. （開導） instruct; teach; give guidance to
  • 體 : 體構詞成分。
  1. Semiconductor discrete device. detail specification for gaas varactor diodes for 2ec600 series

    半導體分立器件. 2ec600系列砷化鎵變容二極體詳細規范
  2. Such an advance would enable engineers to incorporate both electronic and optical devices onto cheap silicon chips rather than being compelled to employ costly - to - make lasers based on “ exotic ” semiconductor materials such as gallium arsenide or indium phosphide

    如果成功，工程師就能在成本低廉的矽晶片上同時製作電子和光學裝置，不需使用砷化鎵或磷化銦等稀有半導體材料，製作成本高昂的半導體雷射。
  3. Semiconductor discrete devices. detail specification for type 2ek150 gaas high speed switching diode

    半導體分立器件2ek150型砷化鎵高速開關二極體詳細規范
  4. Semiconductor discrete device. detail specification for gaas high - speed switching assembly for type ek20

    半導體分立器件. ek20型砷化鎵高速開關組件詳細規范
  5. A new kind of generator rotor temperature measuring system is designed based on optical absorption behavior of gaas semiconductor

    摘要根據砷化鎵半導體的光吸收特性，設計了一種新型的發電轉子溫度測量系統。
  6. Numerical simulation of the influence of high power electromagnetic pulses on gaas mesfet

    高功率電磁脈沖對砷化鎵金屬半導體場效應管的影響
  7. Semiconductor discrete device. detail specification for type cs203 gaas microwave low noise field effect transistor

    半導體分立器件. cs203型砷化鎵微波低噪聲場效應晶體管詳細規范
  8. Semiconductor discrete devices. detail specification for type cs0558 gaas microwave dual gate fet

    半導體分立器件. cs0558型砷化鎵微波雙柵場效應晶體管詳細規范
  9. Our research work lays a good foundation on development of gaas semiconductor and has great significance to the development of semiconductor detector in our country

    我們的研究工作為開發砷化鎵單晶體的應用奠定了良好的基礎，對國內半導體探測器技術的發展具有重大意義。
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