超高真空技術 的英文怎麼說

中文拼音 [chāogāozhēnkōngjìshù]
超高真空技術 英文
ultra high vacuum technique
  • 超 : Ⅰ動詞1 （越過; 高出） exceed; surpass; overtake 2 （在某個范圍以外; 不受限制） transcend; go beyo...
  • 高 : Ⅰ形容詞1 （從下向上距離大; 離地面遠） tall; high 2 （在一般標準或平均程度之上; 等級在上的） above...
  • 真 : Ⅰ形容詞（真實） true; genuine; real Ⅱ副詞1 （的確; 實在） really; truly; indeed 2 （清楚確實） cl...
  • 空 : 空Ⅰ形容詞（不包含什麼; 裏面沒有東西或沒有內容; 不切實際的） empty; hollow; void Ⅱ名詞1 （天空） s...
  • 技 : 名詞（技能; 本領） skill; ability; trick; technique
  • 術 : 術名詞1. （技藝; 技術; 學術） art; skill; technique 2. （方法; 策略） method; tactics 3. （姓氏） a surname
  • 超高 : 1 （鐵路彎線的外軌加高） superelevation2 （船的出水高度） freeboard; freeboard height3 super high...
  • 真空 : [物理學] vacuum; empty space; vacuo
  1. With the rapid development of the semiconductor technology, large of the vacuum electronic device has replaced by the semiconductor element from the middle period of the last century. however, the vacuum electronic device owns tremendous prepotency in the exceed - high frequency and wide frequency band and high power field, especially in the exceed - high power field. the complexion won ’ t be changed for a long period

    自上世紀中後期開始，隨著半導體技術的飛速發展，許多真空電子器件逐步被半導體器件取代，但是，在超高頻、寬頻帶、大功率，尤其是超大功率領域，真空電子器件在技術和經濟方面至今仍擁有巨大的優勢，而且在今後相當長的時期內，這種局面也不會改變。
  2. From the middle - later period of the last century, with the rapid development of the semiconductor technology, large of the vacuum electronic device was replaced by the semiconductor element. however, the vacuum electronic device owns tremendous prepotency in the exceed - high frequency and high power field. this complexion won ’ t be changed for a long period

    自上世紀中後期開始，隨著半導體技術的飛速發展，許多真空電子器件逐步被其取代，但是，在超高頻、寬頻帶、大功率，尤其是超大功率領域，真空電子器件在技術和經濟方面至今仍擁有巨大的優勢，而且在今後相當長的時期內，這種局面也不會改變。
  3. Chart s vertical storage bulk tanks can be used in liquid nitrogen, oxygen or argon service and are available in sizes from 525 to 15, 000 gallons 1, 987 to 56, 781 liters. designed in accordance with asme code, the vs series features a composite insulation system for high thermal performance, extended hold times, low life - cycle costs and light weight to reduce operational and installation costs

    查特vs - gb立式貯罐系列採用查特獨有的真空絕熱技術，提高您的競爭優勢：卓越的絕熱性能，超長的保持時間，最低的生命周期成本，以及較輕的罐體重量減少您運輸和安裝成本。
  4. " royal soybean milk " is a satisfied health drink of tour or in house. ingredients : best soybean, high maltose liquor

    冰泉豆漿王是以優質黃豆超高麥芽糖為原料，採用先進真空乾燥技術精製成的速溶固體飲料。
  5. A ) si thin film with sub - micro thickness was epitaxial grown on heavy - doped si substrate by ultra high vacuum chemical vapor deposition ( uhv - cvd )

    A ）利用超高真空化學氣相沉積（ uhv - cvd ）技術在重摻si襯底上生長高晶體質量的亞微米級薄硅外延片。
  6. Also, if enough solar energy, according to the needs of your compensation for automatic switching of electric heating, the temperature automatically stop. this will give you the equivalent of two different functions to spend the money to buy a water heater

    太陽能集熱器是由本公司專利技術生產的超導熱管太陽能集熱管與聯集器組合而成，具有很高的集熱效率全玻璃真空管集熱器的太陽吸收率大於0 。
  7. In succession, tini thin film is deposited on single - crystal silicon substrate using optimized parameters utilizing sputtering, and its transformation temperature ( a * ) is 72 ? indicated by dsc curve after being annealed in an ultra - high vacuum ( uhv ) chamber. in addition, the composition of the silicon - based tini film was analyzed by an energy dispersive x - ray spectroscopy ( eds ), and the ti content in the film is approximately 51at %

    按照改進的工藝參數，在單晶硅襯底上濺射-淀積了tini薄膜，並進行了超高真空退火， dsc法測得其馬氏體逆相變峰值溫度為72 ，利用能譜分析（ eds ）技術測得其ti含量約為51at ，通過對非晶tini薄膜與單晶硅襯底之間的界面進行eds及x射線衍射（ xrd ）分析，發現在用大功率（ 2000w ）直流磁控濺射法制備tini薄膜過程中，存在ti 、 ni與si的雙向擴散，發生了界面反應，並有三元化合物ni _ 3ti _ 2si生成。
  8. Sige simox ; 3. sige smart - cut and behavior of sige / si he terostructure implanted with hydrogen. sige film preparation : sige films were grown on silicon substrate using solid source molecular beam epitaxy ( ssmbe ), gas - solid source molecular beam epitaxy ( gsmbe ) and ultra high vacuum chemical vapor deposition ( uhvcvd ) technologies

    Sige薄膜生長方面：在熟悉各種薄膜外延技術的基礎上，採用了近年來發展較為成熟的固態源分子束外延（ ssmbe ） 、氣-固態源分子束外延（ gsmbe ） 、超高真空化學氣相淀積（ uhvcvd ）三種sige薄膜外延技術，在硅（ 100 ）襯底上外延生長了sige薄膜。
  9. Different from fabricating sbd with bulk semiconductor, thin semiconductor films were utilized as the active layer in order to minimize the series resistance. si epilayer with sub - micro thickness was deposited by ultra high vauum chemical vapor deposition ( uhv - cvd ). the sbd with rectifying performance was developed, using si epilayer as the active layer

    利用我們自行研製的超高真空化學氣相沉積（ uhv - cvd ）技術外延了亞微米級的si薄膜，成功的製作了具有整流特性的高頻薄硅肖特基二極體的原型器件。
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