heterojunction bipolar transistor 中文意思是什麼

heterojunction bipolar transistor 解釋
異質結雙極型晶體管
  • heterojunction : 半導體異質結構
  • bipolar : adj. 1. 【電學】兩極的，雙極的。2. 有兩種相反性質[見解]的。3. 關于或涉及地球兩極地區的。n. -ity
  • transistor : n. 【無線電】晶體（三極）管；晶體管[半導體]收音機。 a transistor radio 晶體管[半導體]收音機。
  1. Heterojunction bipolar transistor, hbt

    異質接面雙載子晶體管
  2. A planar sige heterojunction bipolar transistor was fabricated using polysilicon emitter technology and sige base grown by molecular beam epitaxy. the sige hbt

    室溫下該晶體管的直流電流增益為30到50 ，基極開路下，收集極-發射極反向擊穿電壓
  3. 13. 5 ghz ft sige heterojunction bipolar transistor fabricated by planar technology

    Ft為13 . 5ghz的平面結構sige異質結雙極晶體管的研製
  4. It has been shown that the performance of sige heterojunction bipolar transistor ( sige hbt ) in high frequency is much better than that of si bipolar junction transistor ( si bjt ), and is better than that of algaas / gaas metal semiconductor field effect transistor ( algaas / gaas mesfet ) in some aspects

    Sige異質結雙極晶體管（ sigehbt ）的高頻性能大大優于si雙極晶體管（ sibjt ） ，並在某些方面優于algaas / gaasmesfet ，所以sigehbt具有廣闊的應用前景。
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