negative-parameter device 中文意思是什麼

negative-parameter device 解釋
負參量器件
  • negative : adj 1 否定的 否認的；拒絕的 （opp affirmative）； 反對的 反面的；消極的。2 （opp positive） 【電...
  • parameter : n. 1. 【數學】參數，變數；參詞；參項。2. 【物理學】參量；（結晶體的）標軸。3. 〈廢語〉【天文學】通徑。vt. -ize 使參數化。
  • device : n. 1. 設計，計劃；方法，手段。2. 〈pl. 〉意志，慾望。3. 謀略，策略，詭計。4. 器具，器械，設備，裝置。5. 圖案，圖樣；花樣；紋章；標記，商標；（紋章上的）題銘。
  1. Subsequently, we can get the chip s - parameter by adding the negative equipment circuit of the parasitic parameters in the s - parameter model of packaged device

    之後，在有管殼封裝器件的s參數模型中，加上負的寄生參量的等效電路，即可得到管芯的s參數。
  2. The device structure and physical models of 4h - sic mosfet and mesfet are built and the properties are simulated with the use of medici software. the influence of the temperature and structure parameter on the device ' s properties is summarized indicates that no negative resistance exists in breakdown property and the breakdown voltage is up to 85v and 209v separately. the maximum power density of 4h - sic mesfet is as high as 19. 22w / mm. at the same time, the processes of sic field - effect transistor is studied and the fabrication processes suitable to sic mosfet are developed.

    論文分析建立了4h - sicmosfet和mesfet器件的結構模型和物理模型，採用二維器件模擬軟體medici對4h - sicmosfet和mesfet的輸出特性進行了模擬分析，研究了溫度和結構參數對器件特性的影響，表明兩種器件的擊穿特性均沒有負阻現象，擊穿電壓分別達到85v和209v ，由此得到4h - sicmesfet最大功率密度可達到19 . 22w mm ；同時，研究了sic場效應晶體管的製作工藝，初步得到了一套製造sicmosfet器件的製造工藝流程，研製出了4h - sicmosfet器件。
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