晶界特徵分佈 的英文怎麼說
中文拼音 [jīngjiètèzhǐfēnbù]
晶界特徵分佈
英文
gbcd- 晶 : Ⅰ形容詞（光亮） brilliant; glittering Ⅱ名詞1. （水晶） quartz; （rock） crystal 2. （晶體） any crystalline substance
- 界 : 名詞1 （相交的地方; 劃分的界限） boundary 2 （一定的范圍） scope; extent 3 （按職業、工作或性別等...
- 特 : Ⅰ形容詞（特殊; 超出一般） particular; special; exceptional; unusual Ⅱ副詞1 （特別） especially; v...
- 徵 : 名詞[音樂] （古代五音之一 相當于簡譜的「5」） a note of the ancient chinese five tone scale corre...
- 分 : 分Ⅰ名詞1. （成分） component 2. （職責和權利的限度） what is within one's duty or rights Ⅱ同 「份」Ⅲ動詞[書面語] （料想） judge
- 特徵 : characteristic; feature; properties; aspect; trait
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The precipitation sequence is. - supersaturated solid solution - stoicheometric " phase - growth. with the increase of the composition there is more characteristic of non - classical nucleation and growth, and the order parameter values of critical ordered nucleus decrease. the precipitation sequence is : supersaturated solid solution - nonstoicheometric ordered phase - stoicheometric " phase - growth
隨濃度增加，大部分亞穩區合金沉澱非經典形核長大的特徵增強，有序相臨界晶核序參數分佈曲線降低，且分佈更加平緩，沉澱序列為：過飽和固溶體非化學計量比有序相化學計量比相長大，非化學計量比有序相併非熱力學意義上的亞穩相，研究工作明確了這一點。An optimized cvi - pip process has been achieved, by which the c / sic composites with 2. 1 ig / cm3 high density and uniformity are fabricated in 200 hours. the microstructure and composition of pyrolytic carbon interphase and cvi - pip silicon carbide matrix in the c / sic composites are investigated with the help of polarization microscope, scanning electron microscope, and x - ray diffraction technique, etc. the structure characteristic of pyrolytic carbon interphase and cvi - pip silicon carbide matrix, and effects of cvi - pip process on it are summarized and discussed. by growth course and feature of pyrolytic carbon interphase and cvi - pip silicon carbide matrix analyzed, a whole - course densification mechanism of lamellar - growth - pattern is proposed to explain the densification phenomenon, which makes a systematic understanding on the feature of pyrolytic carbon interphase and cvi - pip silicon carbide matrix, and the multiple stitching interface binding
根據熱解碳中間相、 cvi - pip系sic基體相的組織構成與外貌特徵，通過對熱解碳中間相、 cvi - pip系sic基體相的生長過程和生長特徵進行分析，提出了基於層生長模式的緻密化過程理論，解釋了熱解碳中間相、 cvi - pip系sic基體相以及釘扎誘導結構多重界面的形成： （ 1 ）在1150下， cvi - sic亞基體相遵從「過飽和?凝聚?融合」機理沉積，以8f型? sic為主，同時還會有少量4h型? sic ，無游離si和游離c存在； （ 2 ） pip - sic亞基體相由非晶態sic以及彌散分佈的- sic微晶、 si - o - c和游離c組成； （ 3 ）熱解碳中間相與碳纖維增強相之間、 cvi - sic亞基體相之間形成滲透釘扎結構過渡界面， pip - sic亞基體相與摘要cvi一sic亞基體相之間形成誘導結構過渡界面。
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