本徵載流子 的英文怎麼說

中文拼音 [běnzhǐzǎiliúzi]
本徵載流子 英文
intrinsic carrier
  • 本 : i 名詞1 （草木的莖或根）stem or root of plants 2 （事物的根源）foundation; origin; basis 3 （本錢...
  • 徵 : 名詞[音樂] （古代五音之一 相當于簡譜的「5」） a note of the ancient chinese five tone scale corre...
  • 載 : 載Ⅰ名詞（年） year : 一年半載 six to twelve months; six months to a year; 三年五載 three to five ...
  • 流 : Ⅰ動1 （液體移動; 流動） flow 2 （移動不定） drift; move; wander 3 （流傳; 傳播） spread 4 （向壞...
  • 子 : 子Ⅰ名詞1 （兒子） son 2 （人的通稱） person 3 （古代特指有學問的男人） ancient title of respect f...
  1. After measuring dark current, photocurrent and response to x pulse of gaas detector before and after 1. 7 mev electronic radiation, the response tune, fall time of trailing edge, full width of half maximum ( fwhm ), sensitivity, carrier life, mobility are researched and contrasted. the result shows that the response speed of detector, time resolution ratio and nonlinear of back edge of output signal have been improved greatly after electronic radiation. though sensitivity of the detector reduces, its measuring range can be widened

    為了使探測器的性能得到進一步的提高，我們對其進行了電子輻照改性，並測量了本徵砷化鎵探測器和經過1 . 7mev電子輻照的探測器的暗電流、光電流及對x射線的脈沖響應，並對其響應時間，后沿下降時間，半高寬（ fwhm ） ，載流子壽命，靈敏度進行對比，研究，結果顯示經電子輻照后的探測器的性能得到了改善，使響應速度，分辯率進一步提高，並消除了探測器輸出信號后沿的非線性，雖靈敏度有所降低，反而使其測量范圍得以拓寬。
  2. The intrinsic carrier concentration reduces when decreasing the v / iii ratio. the high quality of in0. 53gao. 47as can be obtained at the range of 10 - 30 seconds of exchange time between ashs and phs. when the thickness of the buffer layer between the inp substrate and ingaas epilayer is 0. 2 um the mobility becomes the maximum and the carrier concentration is the lowest

    /比對外延層的表面形貌有較大影響，增大/比有利於提高材料的結晶質量；隨著/比增加，遷移率升高；本徵載流子濃度隨著/比減少而降低； ash _ 3和ph _ 3轉換時間在10秒到30秒之間可以獲得質量較好的ingaas外延層；在inp緩沖層厚度為0 . 2 m時遷移率達到最大，載流子濃度達到最低。
  3. This dissertation investigates the breakdown theory and reliability characterization methods of the time dependent dielectric breakdown ( tddb ) for the ultra - thin gate oxide, and the hot - carrier effect ( hce ) in deep sub - micron mosfet ' s

    本文對超薄柵氧化層經時擊穿（ tddb ）擊穿機理和可靠性表徵方法以及深亞微米mos器件熱載流子效應（ hce ）進行了系統研究。
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