硅分子束外延 的英文怎麼說
中文拼音 [guīfēnzishùwàiyán]
硅分子束外延
英文
silicon molecular beam epitaxy- 硅 : 名詞[化學] silicon (14號元素符號 si)
- 分 : 分Ⅰ名詞1. (成分) component 2. (職責和權利的限度) what is within one's duty or rights Ⅱ同 「份」Ⅲ動詞[書面語] (料想) judge
- 子 : 子Ⅰ名詞1 (兒子) son 2 (人的通稱) person 3 (古代特指有學問的男人) ancient title of respect f...
- 束 : Ⅰ動詞1 (捆; 系) bind; tie 2 (控制; 約束)control; restrain Ⅱ量詞(用於捆在一起的東西) bundle;...
- 外 : Ⅰ名詞1 (外面) outside; external side 2 (外國) foreign country 3 (以外) besides; beyond; in ...
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In light of them, matching pmosfet and nmosfet with strained si channel were designed. 2. the epitaxy layers including lt ( low temperature ) si grow technicsare discussed
2 .研究了包括400下分子束外延法生長100nm的低溫硅層的各外延層生長技術。Sige simox ; 3. sige smart - cut and behavior of sige / si he terostructure implanted with hydrogen. sige film preparation : sige films were grown on silicon substrate using solid source molecular beam epitaxy ( ssmbe ), gas - solid source molecular beam epitaxy ( gsmbe ) and ultra high vacuum chemical vapor deposition ( uhvcvd ) technologies
Sige薄膜生長方面:在熟悉各種薄膜外延技術的基礎上,採用了近年來發展較為成熟的固態源分子束外延( ssmbe ) 、氣-固態源分子束外延( gsmbe ) 、超高真空化學氣相淀積( uhvcvd )三種sige薄膜外延技術,在硅( 100 )襯底上外延生長了sige薄膜。
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