逆相分磁界 的英文怎麼說

中文拼音 [nìxiāngfēncíjiè]
逆相分磁界 英文
backward magnetic field
  • 逆 : Ⅰ形容詞1 （方向相反） contrary; counter 2 [數學] inverse; converse Ⅱ動詞1 （抵觸; 不順從） go aga...
  • 相 : 相Ⅰ名詞1 （相貌; 外貌） looks; appearance 2 （坐、立等的姿態） bearing; posture 3 [物理學] （相位...
  • 分 : 分Ⅰ名詞1. （成分） component 2. （職責和權利的限度） what is within one's duty or rights Ⅱ同 「份」Ⅲ動詞[書面語] （料想） judge
  • 磁 : 名詞1. [物理學] （磁性; 能吸引鐵、鎳等的性質） magnetism 2. （瓷） porcelain; china
  • 界 : 名詞1 （相交的地方; 劃分的界限） boundary 2 （一定的范圍） scope; extent 3 （按職業、工作或性別等...
  1. First, in virtual of identification of flaws is a typical of in - verse problems, proceeding from time - harmonic electromagnetic maxwell ' s equa - tion and helmholtz equation, the uniqueness and existence of direct scattering problems including the numerical algorithms of diverse of boundary conditions is given. second, the uniqueness and existence of inverse scattering problems and the theory of ill - posed integral equation are briefly looked back upon. finally, indicator function method for boundary identification is set up under all kinds of boundary conditions for inverse scattering of homogenous and inhomogenous objects, meanwhile, the proof of possibility for near - field measurements and nu - merical simulation are given

    由於缺陷的識別是一類典型的反問題，因而首先從時諧電磁maxwell方程和helmholz方程出發，具體地闡述了求解正散射問題的有關方法，包括各種（夾雜）邊界條件下的數值解法，就解的存在性唯一性給予了肯定的回答；隨后對逆散射問題的理論作了簡短的回顧，包括解的唯一性以及非線性不適定積分方程的處理等；然後對均勻介質和非均勻介質的逆散射問題建立了在各種邊界條件下的邊界識別的指示函數方法，鑒于近場數據獲得的重要性，對近場測試時邊界識別的方法給予了相應的證明，並且實現了數值模擬。
  2. Backward magnetic field

    逆相分磁界
  3. In succession, tini thin film is deposited on single - crystal silicon substrate using optimized parameters utilizing sputtering, and its transformation temperature ( a * ) is 72 ? indicated by dsc curve after being annealed in an ultra - high vacuum ( uhv ) chamber. in addition, the composition of the silicon - based tini film was analyzed by an energy dispersive x - ray spectroscopy ( eds ), and the ti content in the film is approximately 51at %

    按照改進的工藝參數，在單晶硅襯底上濺射-淀積了tini薄膜，並進行了超高真空退火， dsc法測得其馬氏體逆相變峰值溫度為72 ，利用能譜分析（ eds ）技術測得其ti含量約為51at ，通過對非晶tini薄膜與單晶硅襯底之間的界面進行eds及x射線衍射（ xrd ）分析，發現在用大功率（ 2000w ）直流磁控濺射法制備tini薄膜過程中，存在ti 、 ni與si的雙向擴散，發生了界面反應，並有三元化合物ni _ 3ti _ 2si生成。
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