邊界層外表面 的英文怎麼說

中文拼音 [biānjiècéngwàibiǎomiàn]
邊界層外表面 英文
cloak of the boundary layer
  • 邊 : 邊Ⅰ名詞1 （幾何圖形上夾成角的直線或圍成多邊形的線段） side; section 2 （邊緣） edge; margin; oute...
  • 界 : 名詞1 （相交的地方; 劃分的界限） boundary 2 （一定的范圍） scope; extent 3 （按職業、工作或性別等...
  • 層 : i 量詞1 （用於重疊、積累的東西 如樓層、階層、地層） storey; tier; stratum 2 （用於可以分項分步的...
  • 外 : Ⅰ名詞1 （外面） outside; external side 2 （外國） foreign country 3 （以外） besides; beyond; in ...
  • 表 : Ⅰ名詞1 （外面;外表） outside; surface; external 2 （中表親戚） the relationship between the child...
  • 面 : Ⅰ名詞1 （頭的前部; 臉） face 2 （物體的表面） surface; top 3 （外露的一層或正面） outside; the ri...
  • 邊界 : boundary; frontier; border; borderline; edge range line; periphery
  • 表面 : surface; superficies; boundary; face; rind; sheet; skin; outside; appearance
  1. In order to predict hydrodynamic characteristics a computational system is developed including determination of the pressure distribution on a wing section by use of the conformal mapping method and panel method respectively and of the flow in boundary layer according to the thin shear layer approximation ( tsl ) for navier - stokes equation approach. the wing sections of naca4412 and naca0012 are applied to test the computational system. the numerical inspection shows that the panel method with better precision and the momentum and the displacement thickness of boundary layer can be used to complete this calculation

    本文分別用守屋的保角變換法和基於源匯渦分佈的面元法，建立了計算槳葉表面壓力分佈的數學模型；應用納維-斯托克方程的薄層近似理論模式和有限差分數值方法，建立了計算機翼表面邊界層內部流動的數學模型；應用槳葉表面邊界層內部粘性流動和外部勢流流動在邊界上的匹配演算法，建立了槳葉表面二相流流動的計算方法和相應的計算機程序。
  2. According to the requirement of innovation engineering in chinese academy of sciences, the work in this thesis focused on fabrication of soi material with epitaxial layer transfer of porous silicon and study of luminescence of modified porous silicon, and we obtained the following new results : the effect of doping and anodizing condition on the properties of porous silicon, including the microstructure, ciystallinity and surface morphology, has been studied systematically. it is found that the porous silicon and substrate have the same orientation and share a coherent boundary. but at the edge of pores, the lattice relaxes, which induces xrd peak moving of porous silicon

    Soi技術和多孔硅納米發光技術研究是當今微電子與光電子研究領域的前沿課題，本文根據科學院創新工程研究工作的需要，開展了多孔硅外延層轉移eltran - soi新材料制備與改性多孔硅發光性能的研究，獲得的主要結果如下：系統研究了矽片摻雜濃度、摻雜類型和陽極氧化條件等因素對多孔硅結構、單晶性能和表面狀態的影響，發現多孔硅與襯底並不是嚴格的四方畸變，在多孔硅/硅襯底的界面上，多孔硅的晶格與襯底完全一致，但在孔的邊緣，多孔硅的晶格發生弛豫。
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