錯配間界 的英文怎麼說

中文拼音 [cuòpèijiānjiè]
錯配間界 英文
mismatch boundary
  • 錯 : Ⅰ形容詞1 （錯誤; 不正確） wrong; mistaken; erroneous 2 （用於否定: 壞; 差） bad; poor 3 （交叉; ...
  • 配 : Ⅰ動詞1 （兩性結合） join in marriage 2 （使動物交配） mate （animals） 3 （按適當的標準或比例加以...
  • 間 : 間Ⅰ名詞1 （中間） between; among 2 （一定的空間或時間里） with a definite time or space 3 （一間...
  • 界 : 名詞1 （相交的地方; 劃分的界限） boundary 2 （一定的范圍） scope; extent 3 （按職業、工作或性別等...
  1. Z. zhang and w. geng, " direct observation of misfit dislocations at the interface between a decagonal quasicrystal and its epitaxial crystalline layers ", phil. mag. lett., 65 ( 1992 ) 211 - 218

    「十面體準晶與其表面晶體之間界面失配位錯的直接觀察」 ， ， （英國）
  2. The high density dislocations behave like deep - level donors and the dislocations scattering is considerable at low temperature especially. besides, when the insb buffer layer thickness became 80nm, the roughness of insb epilayer increased. the initial stage of insb growth on gaas substrate is

    透射電子顯微鏡發現，在insb / gaas薄膜的界面處分佈有間距為3 . 5nm的失配位錯陣列，界面處的高密度位錯可體現出類似深能級施主的特性，尤其在低溫下對載流子散射更加顯著。
  3. In order to improve the properties of materials, one needs to understand the structural relationship between interface and matrix of the materials, such as interface atomic structure, misfit dislocation, chemical bond structure, stress field distribution, composition segregation etc. there are tremendous research works on the grain boundary and interface structures during last century and the sophisticated theory about grain boundary and interface, i. e. coincidence site lattice and 0 - lattice theories had been developed simultaneously

    眾所周知，材料的宏觀性質是由其微觀結構所決定的，因此，為了改善材料的宏觀性能我們有必要弄清楚材料的界面與基體之間的結構關系，如界面的原子結構、失配位錯、化學鍵合、應力場的分佈等等。在上世紀，人們已對晶界和相界面結構進行了大量的研究，同時，相關的理論如「重位點陣」和「 o -點陣」理論也發展成熟。
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