高電阻阻擋層 的英文怎麼說

中文拼音 [gāodiànzǔzǔdǎngcéng]
高電阻阻擋層 英文
high resistance barrier
  • 高 : Ⅰ形容詞1 （從下向上距離大; 離地面遠） tall; high 2 （在一般標準或平均程度之上; 等級在上的） above...
  • 電 : Ⅰ名詞1 （有電荷存在和電荷變化的現象） electricity 2 （電報） telegram; cable Ⅱ動詞1 （觸電） give...
  • 阻 : 動詞（阻擋; 阻礙） block; hinder; impede; obstruct
  • 擋 : 擋Ⅰ動詞1 （攔住; 抵擋） keep off; ward off; block; resist 2 （遮蔽） cover; block; get in the way...
  • 層 : i 量詞1 （用於重疊、積累的東西 如樓層、階層、地層） storey; tier; stratum 2 （用於可以分項分步的...
  • 電阻 : （物質阻礙電流通過的性質） resistance; electric resistance （電路中兩點間在一定壓力下決定電流強度...
  • 阻擋 : stop; stem; resist; obstruct
  1. Used as linings, bottoms in electrolytic cells, smelting furnaces

    高強抗滲澆注料用於電解槽底部，作為阻擋層使用。
  2. The reason to cause this phenomenon is due to the change of electric field in the blue oled to induce the probality of the carrier shifted and the hole - electron recombination zone changed, which was a possible alternative to achieve color display. 3 ) device with the structure of ito / npb / adn : balq3 / alq3 / mg : ag was fabricated. when the balq3 dopant concentration was about 25 mol %, a high performance devcie with luminous efficiency of 1. 0 lm / w, the peak of emission spectrum at 440 nm, the cie coordinate at ( 0. 18, 0. 15 ), and half lifetime of unencapsulated device about 950 hrs was achieved

    導致本現象的原因是由於各有機層電場強度的變化影響了空穴和電子的隧穿幾率，從而導致載流子的復合區域發生改變而發出不同顏色的光; 3 ）制備了結構為ito / npb / adn : balq3 / alq3 / mg : ag的藍光oled ，空穴阻擋材料balq3的摻入顯著影響了oled的光電性能，當balq3的摻雜濃度為25mol %時， oled的發光效率為1 . 0lm / w ，發光光譜的峰值為440nm ，色純度為（ 0 . 18 ， 0 . 15 ） ，未封裝器件的半衰期達到了950小時; 4 ）在藍光材料adn中摻雜npb 、 balq3和tbp三種材料時，不僅改善了器件的發光亮度和色純度，而且提高了器件的發光效率和壽命。
  3. Compared with green light - emitting device, blue oled has many problems such as brightness, efficiency, stability, and color saturation, in this study we investgaited the blue oleds systemically : 1 ) double heterosturcture oled was charaterized. due to the introducing of electron transport layer alq3 and hole - blocking layer balq3, the energy matching was more reasonable and the carrier injecting was more effective in the double - layer device. the maximum efficiency and luminance of this device attained to 1. 90 lm / w and 10, 000 cd / m2, respectively

    其次，由於一直以來藍光oled器件的研究處于相對落後的狀態，其發光亮度、效率、穩定性和色純度都無法綠光器件相比，所以本論文在以下幾個方面對藍光器件的性能進行了系統的研究: 1 ）研究了雙異質型藍光oled器件，由於本研究引入了空穴阻擋層，使得載流子的復合和激子的擴散被限定在發光層內，器件的發光效率達到了1 . 90lm / w ，最大亮度達到了10000cd / m2 ，比傳統結構器件的效率和亮度提高了約一個數量級; 2 ）制備了結構為ito / npb / balq3 / alq3 / mg : ag的oled器件，研究發現，當改變各有機層厚度時，器件的電致發光光譜發生了從綠光到藍光的移動。
  4. Carrier aggregation on the interface between organic layer and electrodes may screen extra electric field and reduce barrier height for carrier injection. ( 3 ) we utilized oxd as buffer layer in anode and lif in cathode in single layer mehppv pleds. and the efficiency and brightness was doubled. the results implied that aggregation of minority carriers at the interface may the role of blocking layer

    （ 3 ）在單層mehppv器件的陽極引入oxd作為電子阻擋修飾層， lif作為陰極修飾層，利用阻擋少數載流子實現界面電荷積累的方法提高了器件發光亮度和效率，分析了器件電流電壓特性，使器件發光效率和亮度提高了一倍以上。
  5. In order to suppress the formation of silicide interfacial layer, a zro2 thin film was deposited as a barrier layer between hfo2 and si. the samples with barrier layer exhibited better leakage and c - v character than the directly deposited ones

    作為阻擋層抑制hf和a的互擴散反應，減小了界面層厚度，並提高了界面層的氧化效率，與無阻檔層的樣品相比電學性能得到了顯著的提高。
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