硅平面晶體管 的英文怎麼說

中文拼音 [guīpíngmiànjīngtǐguǎn]
硅平面晶體管 英文
silicon planar transistor
  • 硅 : 名詞[化學] silicon （14號元素符號 si）
  • 平 : Ⅰ形容詞1 （沒有高低凹凸 不頃斜） flat; level; even; smooth 2 （高度相同; 不相上下） on the same l...
  • 面 : Ⅰ名詞1 （頭的前部; 臉） face 2 （物體的表面） surface; top 3 （外露的一層或正面） outside; the ri...
  • 晶 : Ⅰ形容詞（光亮） brilliant; glittering Ⅱ名詞1. （水晶） quartz; （rock） crystal 2. （晶體） any crystalline substance
  • 體 : 體構詞成分。
  • 管 : Ⅰ名詞1 （管子） pipe; tube 2 （吹奏的樂器） wind musical instrument 3 （形狀似管的電器件） valve;...
  • 晶體 : [晶體學] crystal; vitrella; crystal body; crystalloid; x-tal
  1. N - channel silicon planar epitaxial jfet

    通道硅平面型外延接面型場效晶體管
  2. Abstract : a vertical sandwich deep trench with a field limiting ring is proposed to improve the breakdown voltage of power devices and high voltage devices. simulation result shows that nearly 100 breakdown voltage of the plane junction can be realized

    文摘:提出一種二氧化硅/多晶硅/二氧化硅夾心深槽場限制環新結構來提高晶體管的擊穿電壓.模擬結果顯示，該結構可以使射頻功率雙極性晶體管的擊穿電壓幾乎100達到平行平面結的理想值
  3. Detail specification for low power silicon n - p - n switching transistors - 65 v, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation - full plus additional assessment level

    小功率硅p - n - p型開關晶體管詳細規范. 65v平面外延額定環境條件密封封裝.全面附加評定級
  4. . detail specification for low power silicon n - p - n switching transistors - 20 v, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation long lead version - full plus additional assessment level

    小功率硅n - p - n型開關晶體管詳細規范. 20v平面外延額定環境條件密封封裝
  5. . detail specification for low power silicon p - n - p switching transistors - 65 v, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation long lead version - full plus additional assessment level

    小功率硅p - n - p型開關晶體管詳細規范. 65v平面外延額定環境條件密封封裝
  6. Detail specification for low power silicon p - n - p switching transistors - 65 v, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation - full plus additional assessment level

    小功率硅p - n - p型開關晶體管詳細規范. 65v平面外延額定環境條件密封封裝全面附加評定級
  7. Detail specification for low power silicon p - n - p switching transistors - 25 v, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation - full plus additional assessment level

    小功率硅p - n - p型開關晶體管詳細規范. 25v平面外延額定環境條件密封封裝全面附加評定級
  8. Detail specification for low power silicon n - p - n switching transistors - 20 v, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation - full plus additional assessment level

    小功率硅n - p - n型開關晶體管詳細規范. 20v平面外延額定環境條件密封封裝.全面附加評定級
  9. . detail specification for low power silicon n - p - n switching transistors - 65 v, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation long lead version - full plus additional assessment level

    小功率硅n - p - n型開關晶體管詳細規范. 65v平面外延額定環境條件密封封裝
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