彌散因數 的英文怎麼說

中文拼音 [mísǎnyīnshǔ]
彌散因數 英文
dispersion factor
  • 彌 : Ⅰ動詞1. （遍布; 充滿） overflow; fill 2. （填滿; 填補） fill Ⅱ形容詞（滿） full; whole Ⅲ副詞（更加） more Ⅳ名詞（姓氏） a surname
  • 散 : 散動詞1. （由聚集而分離） break up; disperse 2. （散布） distribute; disseminate; give out 3. （排除） dispel; let out
  • 因 : Ⅰ動詞[書面語] （沿襲） follow; carry on Ⅱ介詞1 [書面語] （憑借; 根據） on the basis of; in accord...
  • 數 : 數副詞（屢次） frequently; repeatedly
  1. At the some time, the reaction between ti and al also is an exothermal reaction, so the inner energy is increased sharply which prompt al3ti to decompose and the diffusion rate of ti toward graphite particles and the decrease the inoculation tune

    同時加鎂後生成的tic顆粒的擴散速率增大，因而增大了tic顆粒的形核數，使生成的tic顆粒更加細小彌散，在復合材料中的所佔體積分數增大。
  2. In the present work, water plasma ion implantation, instead of the conventional oxygen plasma ion implantation, has been employed to fabricate soi materials. the masses of the three dominant ion species in the water vapor plasma, h2o +, ho +, and o +, are very close to each other, which overcome the problem of co - existence of o and 02 in oxygen plasma source. the oxygen depth profiles in the water plasma ion as - implanted silicon do not disperse much, which makes it possible for the formation of single buried oxide ( box ) layer by choosing appropriate implantation energy and dose

    本論文創造性地採用水等離子體離子注入方式代替傳統的氧離子注入方式來制備soi結構材料，由於水等離子體中的三種離子h _ 2o ~ + 、 ho ~ +和o ~ +質量數相差很小，克服了氧等離子體中因o _ 2 ~ +和o ~ +質量數相差大而引起的氧在硅中的分佈彌散，使注入硅后的氧射程分佈相對集中，比較容易退火后形成soi結構材料。
  3. The article is to introduce the principle of diffusion tensor magnetic resonance imaging ( dt - mri ), explain how quantitative parameters can be derived and discuss how it affect image quality

    摘要彌散張量成像是磁共振成像的一項技術。本文主要介紹彌散張量成像的原理、量化參數及其影響因素。
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