熱載流子注入 的英文怎麼說

中文拼音 [rèzǎiliúzizhùrù]
熱載流子注入 英文
hci: hot carrier injection
  • 載 : 載Ⅰ名詞（年） year : 一年半載 six to twelve months; six months to a year; 三年五載 three to five ...
  • 流 : Ⅰ動1 （液體移動; 流動） flow 2 （移動不定） drift; move; wander 3 （流傳; 傳播） spread 4 （向壞...
  • 子 : 子Ⅰ名詞1 （兒子） son 2 （人的通稱） person 3 （古代特指有學問的男人） ancient title of respect f...
  • 注 : Ⅰ動詞1 （灌入） pour; irrigate 2 （集中） concentrate on; fix on; focus on 3 （用文字來解釋字句）...
  • 入 : Ⅰ動詞1 （進來或進去） enter 2 （參加） join; be admitted into; become a member of 3 （合乎） conf...
  • 注入 : pour into; empty into; inpouring; injection; infusion [拉丁語]; infunde [法國]; abouchement; influxion
  1. Account for the high electrical field induced from the high applied voltage relative to small dimension device, the mechanism of hot - carrier generation is analysed, the si - h bond broken model for hot - carrier injection and interface states generation is deduced and the substrate current model is developed

    基於mosfet偏壓不能按比例縮小所導致的高電場，對mosfet的熱載流子產生機理進行了分析，導出了熱載流子注入所引起的界面態的si - h健斷裂模型，並建立了表徵器件熱載流子效應的襯底電流模型。
  2. So, both 1 / f noise power spectrum measurement and similarity coefficient extracted from its time series can offer economical, effective and indestructible tool to detect the latent damage induced by esd and hci for mosfets

    因此，無論是1 / f噪聲功率譜的測試還是由其時間序列提取得到的相似系數均可以作為經濟、有效、完全非破壞性的工具，替代傳統的電特性用於檢測靜電引起的mos器件潛在損傷以及熱載流子注入損傷。
  3. The emphasis is about the metal line reliability, contact reliability, gate oxide integrity, and hot carrier injection in test. based on the test datum, the reliability of 1. 0 m process on single failure mechanisms is evaluated, and all the test structures are explained

    測試內容上著重介紹了金屬化完整性測試、氧化層完整性測試、連接完整性測試和熱載流子注入測試，根據測試數據，對1 . 0 m工藝線單一失效機理的可靠性進行了評價，對不同測試結構的作用進行了說明。
  4. Experimental results indicated that for the two reverse - bias stresses the degradation of the devices depended on magnitude and energy of the injected carriers. fc stress condition may speed up the degradation of devices and shorten the time of evaluating the devices life

    在實驗中我們發現對這兩種應力，器件的退化與注入的熱載流子的數量以及能量有關， fc應力方法可以加速器件的退化，縮短評估器件壽命的時間。
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