接觸器地下室 的英文怎麼說
中文拼音 [jiēchùqìdexiàshì]
接觸器地下室
英文
contactor basement- 接 : Ⅰ動詞1 （靠近;接觸） come into contact with; come close to 2 （連接; 使連接） connect; join; put ...
- 觸 : Ⅰ動詞1 （接觸） touch; contact 2 （碰; 撞） strike; hit 3 （觸動） touch 4 （感動） move sb ; sti...
- 器 : 名詞1. （器具） implement; utensil; ware 2. （器官） organ 3. （度量; 才能） capacity; talent 4. （姓氏） a surname
- 下 : 下動詞1. （用在動詞后,表示由高處到低處） 2. （用在動詞后, 表示有空間, 能容納） 3. （用在動詞后, 表示動作的完成或結果）
- 接觸 : 1. （交往） come into contact with; get in touch with 2. （沖突） engage 3. （挨上; 碰著） contact; touch
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A model of the interface state density distribution near by valence band is presented, and the dependence of the threshold voltage on temperature, the c - v characteristics and the subthreshold characteristics are predicted exactly with this model ; the effects of s / d series resistance on the output characteristics, transfer characteristics and effective mobility of sic pmosfets are analyzed. thirdly, the output characteristics and the drain breakdown characteristics are modeled with the procedure medici. the output characteristics in the room temperature and 300 ? are simulated, and the effects of gate voltage. contact resistance, interface state and other factors on sic pmos drain breakdown characteristics are analyzed
提出了一個價帶附近的界面態分佈模型，用該模型較好地描述了sicpmos器件閾值電壓隨溫度的變化關系、 c - v特性曲線以及亞閾特性曲線；分析了源漏寄生電阻對sicpmos器件輸出特性、轉移特性以及有效遷移率的影響；論文中用模擬軟體medici模擬了sicpmos器件的輸出特性和漏擊穿特性，分別模擬了室溫下和300時sicpmos器件的輸出特性，分析了柵電壓、接觸電阻、界面態以及其他因素對sicpmos擊穿特性的影響。
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