等離子區溫度 的英文怎麼說

中文拼音 [děnglíziqūwēndù]
等離子區溫度 英文
plasma temperature
  • 等 : Ⅰ量詞1 （等級） class; grade; rank 2 （種; 類） kind; sort; type Ⅱ形容詞（程度或數量上相同） equa...
  • 離 : Ⅰ動詞1 （離開） leave; part from; be away from; separate 2 （背離） go against 3 （缺少） dispens...
  • 子 : 子Ⅰ名詞1 （兒子） son 2 （人的通稱） person 3 （古代特指有學問的男人） ancient title of respect f...
  • 區 : 區名詞（姓氏） a surname
  • 溫 : Ⅰ形容詞（不冷不熱） warm; lukewarm; hot; gentle; mild Ⅱ名詞1 （溫度） temperature 2 （瘟） acute ...
  • 度 : 度動詞[書面語] （推測; 估計） surmise; estimate
  • 離子 : [物理學] ion
  • 溫度 : [物理學] temperature
  1. There are distinct changes about shifts or intensity in bulk plasmon, surface plasmon, and interband electron transitions losses as a result of oxidation of specimens, and adsorption and oxidation processes can be studied through these changes. at room temperature, the formation of oxide layers on uranium and uranium - niobium alloys were found to occur rapidly upon exposure to oxygen, and the resultant oxide in each case was near - stoichiometric uo2. due to formation of niobium oxide in uranium - niobium alloys, the diffusion of o ~ ( - ) ( o ~ ( 2 - ) ) and u ~ ( 4 + ) in the interface region was prevented, and the corrosion resistance of uranium - niobium alloys to oxygen is greatly enhanced by alloying with niobium

    研究結果表明：清潔表面鈮和鈾的體等離子體振蕩所造成的電子能量損失的實驗值與理論計算值較為符合；隨著氧化程度的加劇，表面等離子體（ sp ） 、體等離子體（ bp ）以及價帶電子躍遷所造成電子能量損失的譜峰發生了明顯的連續偏移或強度的變化，這些變化可以用來分析鈾及鈾鈮合金的初始氧化過程；室溫下，鈾及鈾鈮合金很容易與氧作用，最終結果，鈾僅氧化為二氧化鈾，另外，在鈾鈮合金氧化過程中，因為有鈮的氧化物存在，不利於氧和鈾在界面擴散，增強了鈾鈮合金抗氧化性能； eels能獲得樣品表面的信息比aes更為表面，更為靈敏，但由於eels的譜線過于集中，主要在幾十ev以內，也有不容易區別和解譜的不足。
  2. Using the microwave selective heating property for materials, by setup equivalent equation, and first time inducing the electromagnetic field perturbation theory to the design of heating materials for substrate in mpcvd, three temperature distribution modes were established, including temperature distribution comprehensive mode of inhomogeneous plasma, temperature distribution composite mode of composite substrate materials, temperature distribution perturbation mode of composite materials, which ii provided an whole new technology route to the design of substrate heating system in mpcvd and guided the preparation of heating materials for substrate. and then the heating materials for substrate were designed and optimized to obtain large area homogeneous temperature distribution even larger than substrate holder ' s diameter. as an important part, this thesis researched the nucleation and growth of diamond films in mpcvd, systematically researched the effects of substrate pretreatment, methane concentration, deposition pressure and substrate temperature etc experimental technologic parameters on diamond films " quality on ( 100 ) single crystal silicon substrate in the process of mpcvd, characterized the films qualities in laser raman spectra ( raman ), x - ray diffraction ( xrd ), scanning electron microscopy ( sem ), infrared transmission spectra ( ir ), atomic force microscopy ( afm ), determined the optimum parameters for mpcvd high quality diamond in the mpcvd - 4 mode system

    該系統可通過沉積參數的精確控制，以控制沉積過程，減少金剛石膜生長過程中的缺陷，並採用光纖光譜儀檢測分析等離子體的可見光光譜以監測微波等離體化學氣相沉積過程；利用微波對材料的選擇加熱特性，通過構造等效方程，並首次將電磁場攝動理論引入到mpcvd的基片加熱材料的設計中，建立了非均勻等離子體溫度場綜合模型、復合介質基片材料的復合溫度場模型及復合介質材料溫度場攝動模型，為mpcvd的基片加熱系統設計提供了一條全新的技術路線以指導基片加熱材料的制備，並對基片加熱材料進行了設計和優選，以獲取大面積均勻的溫度場區，甚至獲得大於基片臺尺寸的均勻溫度區；作為研究重點之一，開展了微波等離體化學氣相沉積金剛石的成核與生長研究，系統地研究了在（ 100 ）單晶硅基片上mpcvd沉積金剛石膜的實驗過程中，基片預處理、甲烷濃度、沉積氣壓、基體溫度等不同實驗工藝參數對金剛石薄膜質量的影響，分別用raman光譜、 x射線衍射（ xrd ） 、掃描電鏡（ sem ） 、紅外透射光譜（ ir ） 、原子力顯微鏡（ afm ）對薄膜進行了表徵，確立了該系統上mpcvd金剛石膜的最佳的實驗工藝參數。
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