ultra-high vacuum chamber 中文意思是什麼

ultra-high vacuum chamber 解釋
超高真空艙
  • ultra : adj 過度的，過激的，極端的。n 1 過激論者，極端分子，急進分子，激烈分子。2 〈美口〉高消費顧客，專...
  • high : adj 1 高的〈指物，形容人的身高用 tall〉；高處的；高地的。2 高級的，高等的，高位的，重要的。3 高尚...
  • vacuum : n （pl vacuums vac ua ）1 真空；空處，空虛，空白。2 〈美口〉吸塵器（＝ vacuum cleaner）。vi vt 〈...
  • chamber : n 1 〈古、詩〉室，房間；寢室，臥室；〈pl 〉套房；〈pl 〉律師[法官]辦公室。2 會議室，會場；議會，...
  1. Finally, eels and aes were combined to study initial oxidation processes of uranium, niobium and uranium - niobium alloys in an ultra - high vacuum chamber at the temperature of 373k, 473k, 573k and 673k

    最後，還利用eels和aes研究了超高真空下不同溫度（ 373k 、 473k 、 573k和673k ）時鈾、鈮及鈾鈮合金的初始氧化過程。
  2. In succession, tini thin film is deposited on single - crystal silicon substrate using optimized parameters utilizing sputtering, and its transformation temperature ( a * ) is 72 ? indicated by dsc curve after being annealed in an ultra - high vacuum ( uhv ) chamber. in addition, the composition of the silicon - based tini film was analyzed by an energy dispersive x - ray spectroscopy ( eds ), and the ti content in the film is approximately 51at %

    按照改進的工藝參數，在單晶硅襯底上濺射-淀積了tini薄膜，並進行了超高真空退火， dsc法測得其馬氏體逆相變峰值溫度為72 ，利用能譜分析（ eds ）技術測得其ti含量約為51at ，通過對非晶tini薄膜與單晶硅襯底之間的界面進行eds及x射線衍射（ xrd ）分析，發現在用大功率（ 2000w ）直流磁控濺射法制備tini薄膜過程中，存在ti 、 ni與si的雙向擴散，發生了界面反應，並有三元化合物ni _ 3ti _ 2si生成。
  3. The synthesis of a single - crystal, ultra - long, uniform lead oxide nanowires were observed in a high vacuum chamber with the electron beam bombard in the tb doped pt thin films derived from sol - gel process

    在高真空環境中用高能量電子束對pt t薄膜進行蒸發這種全新的方法，制備出直徑在6 60nxn之間、長徑比高達100的筆直pbo單晶納米線。
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