真空淀積技術 的英文怎麼說
中文拼音 [zhēnkōngdiànjījìshù]
真空淀積技術
英文
vacuum deposition technique- 真 : Ⅰ形容詞（真實） true; genuine; real Ⅱ副詞1 （的確; 實在） really; truly; indeed 2 （清楚確實） cl...
- 空 : 空Ⅰ形容詞（不包含什麼; 裏面沒有東西或沒有內容; 不切實際的） empty; hollow; void Ⅱ名詞1 （天空） s...
- 淀 : Ⅰ動詞（沉澱） form sediment; settle; precipitateⅡ名詞（淺的湖泊, 多用於地名） shallow lake
- 積 : Ⅰ動詞（積累） amass; store up; accumulate Ⅱ形容詞（長時間積累下來的） long standing; long pending...
- 技 : 名詞（技能; 本領） skill; ability; trick; technique
- 術 : 術名詞1. （技藝; 技術; 學術） art; skill; technique 2. （方法; 策略） method; tactics 3. （姓氏） a surname
- 真空 : [物理學] vacuum; empty space; vacuo
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In succession, tini thin film is deposited on single - crystal silicon substrate using optimized parameters utilizing sputtering, and its transformation temperature ( a * ) is 72 ? indicated by dsc curve after being annealed in an ultra - high vacuum ( uhv ) chamber. in addition, the composition of the silicon - based tini film was analyzed by an energy dispersive x - ray spectroscopy ( eds ), and the ti content in the film is approximately 51at %
按照改進的工藝參數，在單晶硅襯底上濺射-淀積了tini薄膜，並進行了超高真空退火， dsc法測得其馬氏體逆相變峰值溫度為72 ，利用能譜分析（ eds ）技術測得其ti含量約為51at ，通過對非晶tini薄膜與單晶硅襯底之間的界面進行eds及x射線衍射（ xrd ）分析，發現在用大功率（ 2000w ）直流磁控濺射法制備tini薄膜過程中，存在ti 、 ni與si的雙向擴散，發生了界面反應，並有三元化合物ni _ 3ti _ 2si生成。Sige simox ; 3. sige smart - cut and behavior of sige / si he terostructure implanted with hydrogen. sige film preparation : sige films were grown on silicon substrate using solid source molecular beam epitaxy ( ssmbe ), gas - solid source molecular beam epitaxy ( gsmbe ) and ultra high vacuum chemical vapor deposition ( uhvcvd ) technologies
Sige薄膜生長方面：在熟悉各種薄膜外延技術的基礎上，採用了近年來發展較為成熟的固態源分子束外延（ ssmbe ） 、氣-固態源分子束外延（ gsmbe ） 、超高真空化學氣相淀積（ uhvcvd ）三種sige薄膜外延技術，在硅（ 100 ）襯底上外延生長了sige薄膜。Vacuum deposition technique
真空淀積技術
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