溝道場效應管 的英文怎麼說

中文拼音 [gōudàochǎngxiàoyīngguǎn]
溝道場效應管 英文
channel fet
  • 溝 : 名詞1 （挖掘的水道或工事） channel; ditch; gutter; trench 2 （淺槽;似溝的窪處） groove; rut; furr...
  • 道 : Ⅰ名詞（道路） road; way; route; path 2 （水流通過的途徑） channel; course 3 （方向; 方法; 道理） ...
  • 場 : 場Ⅰ名詞1 （平坦的空地 多用來翻曬糧食 碾軋穀物） a level open space; threshing ground 2 [方言] （...
  • 效 : Ⅰ名詞（效果; 功用） effect; efficiency; result Ⅱ動詞1 （仿效） imitate; follow the example of 2 ...
  • 應 : 應動詞1 （回答） answer; respond to; echo 2 （滿足要求） comply with; grant 3 （順應; 適應） suit...
  • 管 : Ⅰ名詞1 （管子） pipe; tube 2 （吹奏的樂器） wind musical instrument 3 （形狀似管的電器件） valve;...
  • 道場 : 1 （和尚或道士所做的法事） taoist or buddhist rites （performed to save the souls of the dead ）2...
  • 效應 : [物理學] effect; action; influence
  1. Semiconductor discrete device. detail specification for silicon n - channel deplition mode field - effect transistor of type cs146

    半導體分立器件. cs146型硅n溝道耗盡型場效應晶體管.詳細規范
  2. Semiconductor discrete device. detail specification for type cs141 silicon n - channel mos deplition mode field - effect transistor

    半導體分立器件. cs141型硅n溝道mos耗盡型場效應晶體管詳細規范
  3. Semiconductor discrete device. detail specification for type cs140 silicon n - channel mos deplition mode field - effect transistor

    半導體分立器件. cs140型硅n溝道mos耗盡型場效應晶體管.詳細規范
  4. Semiconductor discrete device. detail specification for type cs5114 cs5116 silicon p - channel deplition mode field - effect transistor

    半導體分立器件. cs5114 cs5116型硅p溝道耗盡型場效應晶體管詳細規范
  5. Semiconductor discrete device. detail specification for type cs4091 cs4093 silicon n - channel deplition mode field - effect transistor

    半導體分立器件. cs4091 cs4093型硅n溝道耗盡型場效應晶體管詳細規范
  6. Semiconductor discrete device. detail specification for types cs4856 cs4861 silicon n - channel deplition mode field - effect transistor

    半導體分立器件. cs4856 cs4861型硅n溝道耗盡型場效應晶體管詳細規范
  7. Semiconductor discrete device. detail specification for silicon n - channel deplition mode field - effect transistor of type cs1 gp, gt and gct classes

    半導體分立器件gp gt和gct級cs1型硅n溝道耗盡型場效應晶體管.詳細規范
  8. Semiconductor discrete device. detail specification for silicon n - channel deplition mode field - effect transistor of type cs4. gp, gt and gct classes

    半導體分立器件gp gt和gct級cs4型硅n溝道耗盡型場效應晶體管.詳細規范
  9. Semiconductor discrete device. detail specification for silicon n - channel deplition mode field - effect transistor of type cs10. gp, gt and gct classes

    半導體分立器件gp gt和gct級cs10型硅n溝道耗盡型場效應晶體管.詳細規范
  10. This paper chooses bsim3 ( berkeley short - channel igfet model ) the model to be extracted, which is for short channel mos field effect transistor specially. these works are presented in this paper. 1

    本論文選取目前業界佔主流地位的bsim3 （ berkeleyshort - channeligfetmodel ）為將要提取的模型，它是專門為短溝道mos場效應晶體管而開發的一種模型。
  11. Vertical channel fet

    垂直溝道場效應晶體管
  12. Facing fierce marketing competition, business infoimatization ( bi ) undoubtedly provides a new way for the development of the m & s enterprises. through the informatization construction, impoiting advanced management theories and information technology, extemally extend ihe infonnational methods, intemally improve working efficient on a certain degree m & s enterprises could equally compete with large - scale enterprises. contrast vith large - scale enterprises, in the field of bi, m & s enterprises face many difficult, especially in the field of capital and human recourses, which seems to be an impassable gap

    由於中小企業在社會經濟發展中的重要地位和作用，越來越為世界各國政府和實業界所關注，面對著殘酷的市場競爭，企業信息化建設無疑為中小企業提供了一個新的發展途徑，通過信息化建設，引進先進的管理思想和信息技術，拓展對外信息渠道，對內提高工作效率，中小企業有可能在某種程度上與大企業進行平等競爭，而相對于大企業來講，中小企業在信息化建設面臨著相當大的困難，特別是在資金和人才方面，可以說是不可逾越的鴻溝，因此，有必要研究?種新的建設模式來克服中小企業信息化建設的種種不便，本著這?目的，本文對在國外中小企業信息化行之有效的模式? ?應用服務提供商作了初步研究，這些研究包括： 1
  13. Slot field - effect transistor

    溝道場效應晶體管
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