電了密度英文怎麼說

電了密度 的英文翻譯

電了密度 例句

1. Abstract : the paper interprets alternant polarization phenomen on of even alternant hydrocarbons by discussing charge density on every position of even alternate when it is polarized using perturbational molecular orbitals ( pmo )
   文摘:本文用微擾分子軌道法（ pmo ）討論 了 偶交替烴被極化時各位置上的 電 荷 密 度 ，解釋 了 偶交替烴 電 荷的交替極化現象。 採用hull槽實驗方法確定 了 甲磺酸體系 電 沉積pb - sn合金鍍層的 電 流 密 度 范圍，並探討 了 不同沉積 電 流 密 度 下pb 、 sn合金含量的變化規律。 本文在深入研究真空微 電 子器件場致發射理論的基礎上，根據圓錐形、楔形陰極真空微 電 子三極體的不同特點，分別建立 了 物理和數學模型，在考慮空間 電 荷 密 度 影響的前提下，以有限元法為基礎採用迭代的方法計算出真空微 電 子三極體內的 電 勢分佈情況，繪制出 了 等勢線、 電 子軌跡線，並得到 了 器件 電 學性能隨幾何參數的變化情況。 文摘:在緊束縛近似下，只計及最近鄰的矩陣元，採用格林函數計算 了 自洽勢修正對簡立方納米晶體顆粒的 電 子結構的影響，發現 電 子能譜發生 了 移動，化學勢不等於格點原子能級，各格點的 電 子 密 度 也發生 了 變化，其中以表面格點的 電 子 密 度 變化最大。 大功率半導體量子阱激光器是一種性能優越的發光器件，具有壽命長、閾值 電 流 密 度 低、效率高、亮 度 高以及良好的單色性、相干性、方向性等特點，廣泛應用於軍事、工業加工、通信及信息處理、醫療保健等領域。材料的外延生長是整個激光器器件製作的基礎，對器件的光學和 電 學性能有著重要的影響，生長不出優質的材料體系，獲得高性能的器件就無從談起，因此，材料的外延生長便成為 了 整個半導體激光器製作過程之中的重中之重。 本文利用 電 化學掃描方法研究鉛酸蓄 電 池正負極板在化成過程中 電 流 密 度 和 電 位分佈及化成對極板 電 性能的影響。同時分析 了 正負極添加劑的性質及其對極板性能的影響。 本文著重以下三個方面的研究： （ ）低氣壓無碰撞輝光放 電 正柱區塵埃等離子體 密 度 徑向分佈本文採用流體模型和自洽的塵埃充 電 模型，研究 了 低氣壓無碰撞輝光放 電 正柱區的 電 子 密 度 、離子 密 度 和塵埃粒子 密 度 的徑向分佈。 給出 了 電 子 密 度 的隱式表達式和閾 電 壓的顯式表達式，它們都充分考慮 了 量子力學效應。 介紹 了 數值計算方法，包括靜 電 磁場的數值計算、在靜 電 靜磁場中 電 子運動軌跡的數值計算、空間 電 荷 密 度 的數值計算和空間 電 位分佈的數值計算;介紹 了 邊界處理方法。 利用有限元定量地模擬 了 整個試件的 電 流 密 度 分佈狀況，闡述 了 沉積物在裂紋尖端的沉積狀況及其原因。 在 電 學模擬過程中，對比 了 不同條寬和不同阻擋層材料下的互連線的溫 度 、 電 流 密 度 分佈，以及不同通孔傾角下、不同阻擋層材料下的通孔的溫 度 、 電 流 密 度 分佈。 然後通過比較和分析 電 流 密 度 比補償型、弱反型工作型和多晶硅柵功函數差型三種帶隙 電 壓基準源 電 路結構的優缺點，確定 了 電 流 密 度 比補償型共源共柵結構作為本設計核心 電 路結構，運用負反饋技術設計 了 基準輸出緩沖 電 路、輸出 電 壓倍乘 電 路，改善 了 核心 電 路的帶負載能力和 電 流驅動能力。 本文首先運用tffa模型描述直接甲醇燃料 電 池（ dmfc ）陰極氧氣的傳遞和 電 化學反應過程，研究 了 過 電 位- 電 流 密 度 曲線受陰極結構參數變化的影響程 度 ，其中著重考慮 了 以下幾個參數：催化層的孔隙率，浸漬聚集體薄膜的厚 度 ，浸漬聚集體的半徑，浸漬聚集體在催化層中的體積分數。 所以本文採用 了 ftcs有限差分格式方法，利用二維三分量軸對稱，對空間飛行體與壓縮區內等離子體非穩態相互作用過程進行數值模擬，得到 了 電 荷 密 度 擾動與 電 場的變化情況。 摘要 電 流 密 度 矢量場也滿足疊加原理，給出 了 一些應用 電 流 密 度 場疊加原理的例子。 本文首次建立 了 晶界勢壘高 度 與伏安特性參數之間的關系，提出 了 陷阱效應在沖擊老化過程的作用模型，引入 了 「臨界陷阱 電 荷 密 度 」的概念。 在傳統流道設計的pemfc中，反應物從流道到催化層的供應和生成物從催化層到流道的排出主要是以擴散為主，而在交叉梳狀流道設計中，以流動帶動的對流傳遞則占據 了 主導地位，而且這種以對流為主的傳遞機理大大提高 了 反應物和產物傳遞速率，從而有效地改善 了 電 池的極限 電 流 密 度 和極化性能等特性。 結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。 相似字 英漢推薦 漢英推薦 電療儀 電療浴缸 電寥 電療法的 電療科 電牙科器械 cantle cherbrun kequan verb of sensation kin-shou adhs automatic data handling system burn up ivan carminati waiting for a cup of hot milk tea yves carcelle unexpired cost 接地引線 等截面拱形梁 絞盡腦汗 裂變過程 無窮花號 擾性印製線路 釀大米 傀儡 法基內利 倉前嶺 薩賈德 分享友人 分享到 Line 分享到臉書 (C) 2015-2021 Dict.site 線上英文字典
2. The effects of different current density on the alloying element content were discussed. based on the results, the optimal process condition was confirmed : pb ~ ( 2 + ) 80 - 90 g / l sn ~ ( 2 + ) 7 - 15 g / l ch _ 4so _ 3 ( dissociative ) 130 - 150 g / l composite additive 12 ml / l current density 2 - 6 a / dm ~ 2
   採用hull槽實驗方法確定 了 甲磺酸體系 電 沉積pb - sn合金鍍層的 電 流 密 度 范圍，並探討 了 不同沉積 電 流 密 度 下pb 、 sn合金含量的變化規律。 本文在深入研究真空微 電 子器件場致發射理論的基礎上，根據圓錐形、楔形陰極真空微 電 子三極體的不同特點，分別建立 了 物理和數學模型，在考慮空間 電 荷 密 度 影響的前提下，以有限元法為基礎採用迭代的方法計算出真空微 電 子三極體內的 電 勢分佈情況，繪制出 了 等勢線、 電 子軌跡線，並得到 了 器件 電 學性能隨幾何參數的變化情況。 文摘:在緊束縛近似下，只計及最近鄰的矩陣元，採用格林函數計算 了 自洽勢修正對簡立方納米晶體顆粒的 電 子結構的影響，發現 電 子能譜發生 了 移動，化學勢不等於格點原子能級，各格點的 電 子 密 度 也發生 了 變化，其中以表面格點的 電 子 密 度 變化最大。 大功率半導體量子阱激光器是一種性能優越的發光器件，具有壽命長、閾值 電 流 密 度 低、效率高、亮 度 高以及良好的單色性、相干性、方向性等特點，廣泛應用於軍事、工業加工、通信及信息處理、醫療保健等領域。材料的外延生長是整個激光器器件製作的基礎，對器件的光學和 電 學性能有著重要的影響，生長不出優質的材料體系，獲得高性能的器件就無從談起，因此，材料的外延生長便成為 了 整個半導體激光器製作過程之中的重中之重。 本文利用 電 化學掃描方法研究鉛酸蓄 電 池正負極板在化成過程中 電 流 密 度 和 電 位分佈及化成對極板 電 性能的影響。同時分析 了 正負極添加劑的性質及其對極板性能的影響。 本文著重以下三個方面的研究： （ ）低氣壓無碰撞輝光放 電 正柱區塵埃等離子體 密 度 徑向分佈本文採用流體模型和自洽的塵埃充 電 模型，研究 了 低氣壓無碰撞輝光放 電 正柱區的 電 子 密 度 、離子 密 度 和塵埃粒子 密 度 的徑向分佈。 給出 了 電 子 密 度 的隱式表達式和閾 電 壓的顯式表達式，它們都充分考慮 了 量子力學效應。 介紹 了 數值計算方法，包括靜 電 磁場的數值計算、在靜 電 靜磁場中 電 子運動軌跡的數值計算、空間 電 荷 密 度 的數值計算和空間 電 位分佈的數值計算;介紹 了 邊界處理方法。 利用有限元定量地模擬 了 整個試件的 電 流 密 度 分佈狀況，闡述 了 沉積物在裂紋尖端的沉積狀況及其原因。 在 電 學模擬過程中，對比 了 不同條寬和不同阻擋層材料下的互連線的溫 度 、 電 流 密 度 分佈，以及不同通孔傾角下、不同阻擋層材料下的通孔的溫 度 、 電 流 密 度 分佈。 然後通過比較和分析 電 流 密 度 比補償型、弱反型工作型和多晶硅柵功函數差型三種帶隙 電 壓基準源 電 路結構的優缺點，確定 了 電 流 密 度 比補償型共源共柵結構作為本設計核心 電 路結構，運用負反饋技術設計 了 基準輸出緩沖 電 路、輸出 電 壓倍乘 電 路，改善 了 核心 電 路的帶負載能力和 電 流驅動能力。 本文首先運用tffa模型描述直接甲醇燃料 電 池（ dmfc ）陰極氧氣的傳遞和 電 化學反應過程，研究 了 過 電 位- 電 流 密 度 曲線受陰極結構參數變化的影響程 度 ，其中著重考慮 了 以下幾個參數：催化層的孔隙率，浸漬聚集體薄膜的厚 度 ，浸漬聚集體的半徑，浸漬聚集體在催化層中的體積分數。 所以本文採用 了 ftcs有限差分格式方法，利用二維三分量軸對稱，對空間飛行體與壓縮區內等離子體非穩態相互作用過程進行數值模擬，得到 了 電 荷 密 度 擾動與 電 場的變化情況。 摘要 電 流 密 度 矢量場也滿足疊加原理，給出 了 一些應用 電 流 密 度 場疊加原理的例子。 本文首次建立 了 晶界勢壘高 度 與伏安特性參數之間的關系，提出 了 陷阱效應在沖擊老化過程的作用模型，引入 了 「臨界陷阱 電 荷 密 度 」的概念。 在傳統流道設計的pemfc中，反應物從流道到催化層的供應和生成物從催化層到流道的排出主要是以擴散為主，而在交叉梳狀流道設計中，以流動帶動的對流傳遞則占據 了 主導地位，而且這種以對流為主的傳遞機理大大提高 了 反應物和產物傳遞速率，從而有效地改善 了 電 池的極限 電 流 密 度 和極化性能等特性。 結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。 相似字 英漢推薦 漢英推薦 電療儀 電療浴缸 電寥 電療法的 電療科 電牙科器械 cantle cherbrun kequan verb of sensation kin-shou adhs automatic data handling system burn up ivan carminati waiting for a cup of hot milk tea yves carcelle unexpired cost 接地引線 等截面拱形梁 絞盡腦汗 裂變過程 無窮花號 擾性印製線路 釀大米 傀儡 法基內利 倉前嶺 薩賈德 分享友人 分享到 Line 分享到臉書 (C) 2015-2021 Dict.site 線上英文字典
3. With the use of finite method we have developed computer simulation software for vacuum microtriodes with wedge - shaped and cone - shaped cathode on the basis of stduying deeply the field emission theory of vacuum microelectronics. the software included field section, grid point numbering, and the calculation of electric currents, transconductance and cathode capacitance, moreover, it can simulate the properties of vacuum microeletronic with variant structures and sizes. the relationship was studied and simulated among electic properties and device structures, sizes and cathode materials etc. the optimized design of vacuum microtiode was proposed
   本文在深入研究真空微 電 子器件場致發射理論的基礎上，根據圓錐形、楔形陰極真空微 電 子三極體的不同特點，分別建立 了 物理和數學模型，在考慮空間 電 荷 密 度 影響的前提下，以有限元法為基礎採用迭代的方法計算出真空微 電 子三極體內的 電 勢分佈情況，繪制出 了 等勢線、 電 子軌跡線，並得到 了 器件 電 學性能隨幾何參數的變化情況。 文摘:在緊束縛近似下，只計及最近鄰的矩陣元，採用格林函數計算 了 自洽勢修正對簡立方納米晶體顆粒的 電 子結構的影響，發現 電 子能譜發生 了 移動，化學勢不等於格點原子能級，各格點的 電 子 密 度 也發生 了 變化，其中以表面格點的 電 子 密 度 變化最大。 大功率半導體量子阱激光器是一種性能優越的發光器件，具有壽命長、閾值 電 流 密 度 低、效率高、亮 度 高以及良好的單色性、相干性、方向性等特點，廣泛應用於軍事、工業加工、通信及信息處理、醫療保健等領域。材料的外延生長是整個激光器器件製作的基礎，對器件的光學和 電 學性能有著重要的影響，生長不出優質的材料體系，獲得高性能的器件就無從談起，因此，材料的外延生長便成為 了 整個半導體激光器製作過程之中的重中之重。 本文利用 電 化學掃描方法研究鉛酸蓄 電 池正負極板在化成過程中 電 流 密 度 和 電 位分佈及化成對極板 電 性能的影響。同時分析 了 正負極添加劑的性質及其對極板性能的影響。 本文著重以下三個方面的研究： （ ）低氣壓無碰撞輝光放 電 正柱區塵埃等離子體 密 度 徑向分佈本文採用流體模型和自洽的塵埃充 電 模型，研究 了 低氣壓無碰撞輝光放 電 正柱區的 電 子 密 度 、離子 密 度 和塵埃粒子 密 度 的徑向分佈。 給出 了 電 子 密 度 的隱式表達式和閾 電 壓的顯式表達式，它們都充分考慮 了 量子力學效應。 介紹 了 數值計算方法，包括靜 電 磁場的數值計算、在靜 電 靜磁場中 電 子運動軌跡的數值計算、空間 電 荷 密 度 的數值計算和空間 電 位分佈的數值計算;介紹 了 邊界處理方法。 利用有限元定量地模擬 了 整個試件的 電 流 密 度 分佈狀況，闡述 了 沉積物在裂紋尖端的沉積狀況及其原因。 在 電 學模擬過程中，對比 了 不同條寬和不同阻擋層材料下的互連線的溫 度 、 電 流 密 度 分佈，以及不同通孔傾角下、不同阻擋層材料下的通孔的溫 度 、 電 流 密 度 分佈。 然後通過比較和分析 電 流 密 度 比補償型、弱反型工作型和多晶硅柵功函數差型三種帶隙 電 壓基準源 電 路結構的優缺點，確定 了 電 流 密 度 比補償型共源共柵結構作為本設計核心 電 路結構，運用負反饋技術設計 了 基準輸出緩沖 電 路、輸出 電 壓倍乘 電 路，改善 了 核心 電 路的帶負載能力和 電 流驅動能力。 本文首先運用tffa模型描述直接甲醇燃料 電 池（ dmfc ）陰極氧氣的傳遞和 電 化學反應過程，研究 了 過 電 位- 電 流 密 度 曲線受陰極結構參數變化的影響程 度 ，其中著重考慮 了 以下幾個參數：催化層的孔隙率，浸漬聚集體薄膜的厚 度 ，浸漬聚集體的半徑，浸漬聚集體在催化層中的體積分數。 所以本文採用 了 ftcs有限差分格式方法，利用二維三分量軸對稱，對空間飛行體與壓縮區內等離子體非穩態相互作用過程進行數值模擬，得到 了 電 荷 密 度 擾動與 電 場的變化情況。 摘要 電 流 密 度 矢量場也滿足疊加原理，給出 了 一些應用 電 流 密 度 場疊加原理的例子。 本文首次建立 了 晶界勢壘高 度 與伏安特性參數之間的關系，提出 了 陷阱效應在沖擊老化過程的作用模型，引入 了 「臨界陷阱 電 荷 密 度 」的概念。 在傳統流道設計的pemfc中，反應物從流道到催化層的供應和生成物從催化層到流道的排出主要是以擴散為主，而在交叉梳狀流道設計中，以流動帶動的對流傳遞則占據 了 主導地位，而且這種以對流為主的傳遞機理大大提高 了 反應物和產物傳遞速率，從而有效地改善 了 電 池的極限 電 流 密 度 和極化性能等特性。 結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。 相似字 英漢推薦 漢英推薦 電療儀 電療浴缸 電寥 電療法的 電療科 電牙科器械 cantle cherbrun kequan verb of sensation kin-shou adhs automatic data handling system burn up ivan carminati waiting for a cup of hot milk tea yves carcelle unexpired cost 接地引線 等截面拱形梁 絞盡腦汗 裂變過程 無窮花號 擾性印製線路 釀大米 傀儡 法基內利 倉前嶺 薩賈德 分享友人 分享到 Line 分享到臉書 (C) 2015-2021 Dict.site 線上英文字典
4. Abstract : the effect of correction of self - consistent potential on electronic structure in simple cubic nanocrystal particles is calculated by means of the green ' s function method in the tight - binding approximation, taking only the nearest neighbor matrix elements into account. the numerical results show that the electronic energy spectrum is shifted, the chemical potential is not equal to the atomic energy level, the electronic density at each lattice point is changed, and the variation of electronic density at surface lattice point is the largest
   文摘:在緊束縛近似下，只計及最近鄰的矩陣元，採用格林函數計算 了 自洽勢修正對簡立方納米晶體顆粒的 電 子結構的影響，發現 電 子能譜發生 了 移動，化學勢不等於格點原子能級，各格點的 電 子 密 度 也發生 了 變化，其中以表面格點的 電 子 密 度 變化最大。 大功率半導體量子阱激光器是一種性能優越的發光器件，具有壽命長、閾值 電 流 密 度 低、效率高、亮 度 高以及良好的單色性、相干性、方向性等特點，廣泛應用於軍事、工業加工、通信及信息處理、醫療保健等領域。材料的外延生長是整個激光器器件製作的基礎，對器件的光學和 電 學性能有著重要的影響，生長不出優質的材料體系，獲得高性能的器件就無從談起，因此，材料的外延生長便成為 了 整個半導體激光器製作過程之中的重中之重。 本文利用 電 化學掃描方法研究鉛酸蓄 電 池正負極板在化成過程中 電 流 密 度 和 電 位分佈及化成對極板 電 性能的影響。同時分析 了 正負極添加劑的性質及其對極板性能的影響。 本文著重以下三個方面的研究： （ ）低氣壓無碰撞輝光放 電 正柱區塵埃等離子體 密 度 徑向分佈本文採用流體模型和自洽的塵埃充 電 模型，研究 了 低氣壓無碰撞輝光放 電 正柱區的 電 子 密 度 、離子 密 度 和塵埃粒子 密 度 的徑向分佈。 給出 了 電 子 密 度 的隱式表達式和閾 電 壓的顯式表達式，它們都充分考慮 了 量子力學效應。 介紹 了 數值計算方法，包括靜 電 磁場的數值計算、在靜 電 靜磁場中 電 子運動軌跡的數值計算、空間 電 荷 密 度 的數值計算和空間 電 位分佈的數值計算;介紹 了 邊界處理方法。 利用有限元定量地模擬 了 整個試件的 電 流 密 度 分佈狀況，闡述 了 沉積物在裂紋尖端的沉積狀況及其原因。 在 電 學模擬過程中，對比 了 不同條寬和不同阻擋層材料下的互連線的溫 度 、 電 流 密 度 分佈，以及不同通孔傾角下、不同阻擋層材料下的通孔的溫 度 、 電 流 密 度 分佈。 然後通過比較和分析 電 流 密 度 比補償型、弱反型工作型和多晶硅柵功函數差型三種帶隙 電 壓基準源 電 路結構的優缺點，確定 了 電 流 密 度 比補償型共源共柵結構作為本設計核心 電 路結構，運用負反饋技術設計 了 基準輸出緩沖 電 路、輸出 電 壓倍乘 電 路，改善 了 核心 電 路的帶負載能力和 電 流驅動能力。 本文首先運用tffa模型描述直接甲醇燃料 電 池（ dmfc ）陰極氧氣的傳遞和 電 化學反應過程，研究 了 過 電 位- 電 流 密 度 曲線受陰極結構參數變化的影響程 度 ，其中著重考慮 了 以下幾個參數：催化層的孔隙率，浸漬聚集體薄膜的厚 度 ，浸漬聚集體的半徑，浸漬聚集體在催化層中的體積分數。 所以本文採用 了 ftcs有限差分格式方法，利用二維三分量軸對稱，對空間飛行體與壓縮區內等離子體非穩態相互作用過程進行數值模擬，得到 了 電 荷 密 度 擾動與 電 場的變化情況。 摘要 電 流 密 度 矢量場也滿足疊加原理，給出 了 一些應用 電 流 密 度 場疊加原理的例子。 本文首次建立 了 晶界勢壘高 度 與伏安特性參數之間的關系，提出 了 陷阱效應在沖擊老化過程的作用模型，引入 了 「臨界陷阱 電 荷 密 度 」的概念。 在傳統流道設計的pemfc中，反應物從流道到催化層的供應和生成物從催化層到流道的排出主要是以擴散為主，而在交叉梳狀流道設計中，以流動帶動的對流傳遞則占據 了 主導地位，而且這種以對流為主的傳遞機理大大提高 了 反應物和產物傳遞速率，從而有效地改善 了 電 池的極限 電 流 密 度 和極化性能等特性。 結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。 相似字 英漢推薦 漢英推薦 電療儀 電療浴缸 電寥 電療法的 電療科 電牙科器械 cantle cherbrun kequan verb of sensation kin-shou adhs automatic data handling system burn up ivan carminati waiting for a cup of hot milk tea yves carcelle unexpired cost 接地引線 等截面拱形梁 絞盡腦汗 裂變過程 無窮花號 擾性印製線路 釀大米 傀儡 法基內利 倉前嶺 薩賈德 分享友人 分享到 Line 分享到臉書 (C) 2015-2021 Dict.site 線上英文字典
5. The high - power semiconductor quantum well ( qw ) laser is a kind of luminescence device with superior performance, it has longe - lived, low threshold current density, high efficiency, high luminosity and excellent monochromatic, coherence, directionality, etc. the high - power semiconductor laser is widely applied to the fields, such as military, industrial machining, communication, information processing, medical treatment, etc. the material ' s epitaxy is the foundation of the whole laser ' s fabricating, and it has important influence on the optics and electricity performance about the laser
   大功率半導體量子阱激光器是一種性能優越的發光器件，具有壽命長、閾值 電 流 密 度 低、效率高、亮 度 高以及良好的單色性、相干性、方向性等特點，廣泛應用於軍事、工業加工、通信及信息處理、醫療保健等領域。材料的外延生長是整個激光器器件製作的基礎，對器件的光學和 電 學性能有著重要的影響，生長不出優質的材料體系，獲得高性能的器件就無從談起，因此，材料的外延生長便成為 了 整個半導體激光器製作過程之中的重中之重。 本文利用 電 化學掃描方法研究鉛酸蓄 電 池正負極板在化成過程中 電 流 密 度 和 電 位分佈及化成對極板 電 性能的影響。同時分析 了 正負極添加劑的性質及其對極板性能的影響。 本文著重以下三個方面的研究： （ ）低氣壓無碰撞輝光放 電 正柱區塵埃等離子體 密 度 徑向分佈本文採用流體模型和自洽的塵埃充 電 模型，研究 了 低氣壓無碰撞輝光放 電 正柱區的 電 子 密 度 、離子 密 度 和塵埃粒子 密 度 的徑向分佈。 給出 了 電 子 密 度 的隱式表達式和閾 電 壓的顯式表達式，它們都充分考慮 了 量子力學效應。 介紹 了 數值計算方法，包括靜 電 磁場的數值計算、在靜 電 靜磁場中 電 子運動軌跡的數值計算、空間 電 荷 密 度 的數值計算和空間 電 位分佈的數值計算;介紹 了 邊界處理方法。 利用有限元定量地模擬 了 整個試件的 電 流 密 度 分佈狀況，闡述 了 沉積物在裂紋尖端的沉積狀況及其原因。 在 電 學模擬過程中，對比 了 不同條寬和不同阻擋層材料下的互連線的溫 度 、 電 流 密 度 分佈，以及不同通孔傾角下、不同阻擋層材料下的通孔的溫 度 、 電 流 密 度 分佈。 然後通過比較和分析 電 流 密 度 比補償型、弱反型工作型和多晶硅柵功函數差型三種帶隙 電 壓基準源 電 路結構的優缺點，確定 了 電 流 密 度 比補償型共源共柵結構作為本設計核心 電 路結構，運用負反饋技術設計 了 基準輸出緩沖 電 路、輸出 電 壓倍乘 電 路，改善 了 核心 電 路的帶負載能力和 電 流驅動能力。 本文首先運用tffa模型描述直接甲醇燃料 電 池（ dmfc ）陰極氧氣的傳遞和 電 化學反應過程，研究 了 過 電 位- 電 流 密 度 曲線受陰極結構參數變化的影響程 度 ，其中著重考慮 了 以下幾個參數：催化層的孔隙率，浸漬聚集體薄膜的厚 度 ，浸漬聚集體的半徑，浸漬聚集體在催化層中的體積分數。 所以本文採用 了 ftcs有限差分格式方法，利用二維三分量軸對稱，對空間飛行體與壓縮區內等離子體非穩態相互作用過程進行數值模擬，得到 了 電 荷 密 度 擾動與 電 場的變化情況。 摘要 電 流 密 度 矢量場也滿足疊加原理，給出 了 一些應用 電 流 密 度 場疊加原理的例子。 本文首次建立 了 晶界勢壘高 度 與伏安特性參數之間的關系，提出 了 陷阱效應在沖擊老化過程的作用模型，引入 了 「臨界陷阱 電 荷 密 度 」的概念。 在傳統流道設計的pemfc中，反應物從流道到催化層的供應和生成物從催化層到流道的排出主要是以擴散為主，而在交叉梳狀流道設計中，以流動帶動的對流傳遞則占據 了 主導地位，而且這種以對流為主的傳遞機理大大提高 了 反應物和產物傳遞速率，從而有效地改善 了 電 池的極限 電 流 密 度 和極化性能等特性。 結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。 相似字 英漢推薦 漢英推薦 電療儀 電療浴缸 電寥 電療法的 電療科 電牙科器械 cantle cherbrun kequan verb of sensation kin-shou adhs automatic data handling system burn up ivan carminati waiting for a cup of hot milk tea yves carcelle unexpired cost 接地引線 等截面拱形梁 絞盡腦汗 裂變過程 無窮花號 擾性印製線路 釀大米 傀儡 法基內利 倉前嶺 薩賈德 分享友人 分享到 Line 分享到臉書 (C) 2015-2021 Dict.site 線上英文字典
6. This paper researches on the practical current and potential distributions on the positive and negative plates of automotive batteries in the course of their formation processes by the means of an in situ electrochemical scan, and then studies the influences of the formation and also the additives on the performance of the automotive plates
   本文利用 電 化學掃描方法研究鉛酸蓄 電 池正負極板在化成過程中 電 流 密 度 和 電 位分佈及化成對極板 電 性能的影響。同時分析 了 正負極添加劑的性質及其對極板性能的影響。 本文著重以下三個方面的研究： （ ）低氣壓無碰撞輝光放 電 正柱區塵埃等離子體 密 度 徑向分佈本文採用流體模型和自洽的塵埃充 電 模型，研究 了 低氣壓無碰撞輝光放 電 正柱區的 電 子 密 度 、離子 密 度 和塵埃粒子 密 度 的徑向分佈。 給出 了 電 子 密 度 的隱式表達式和閾 電 壓的顯式表達式，它們都充分考慮 了 量子力學效應。 介紹 了 數值計算方法，包括靜 電 磁場的數值計算、在靜 電 靜磁場中 電 子運動軌跡的數值計算、空間 電 荷 密 度 的數值計算和空間 電 位分佈的數值計算;介紹 了 邊界處理方法。 利用有限元定量地模擬 了 整個試件的 電 流 密 度 分佈狀況，闡述 了 沉積物在裂紋尖端的沉積狀況及其原因。 在 電 學模擬過程中，對比 了 不同條寬和不同阻擋層材料下的互連線的溫 度 、 電 流 密 度 分佈，以及不同通孔傾角下、不同阻擋層材料下的通孔的溫 度 、 電 流 密 度 分佈。 然後通過比較和分析 電 流 密 度 比補償型、弱反型工作型和多晶硅柵功函數差型三種帶隙 電 壓基準源 電 路結構的優缺點，確定 了 電 流 密 度 比補償型共源共柵結構作為本設計核心 電 路結構，運用負反饋技術設計 了 基準輸出緩沖 電 路、輸出 電 壓倍乘 電 路，改善 了 核心 電 路的帶負載能力和 電 流驅動能力。 本文首先運用tffa模型描述直接甲醇燃料 電 池（ dmfc ）陰極氧氣的傳遞和 電 化學反應過程，研究 了 過 電 位- 電 流 密 度 曲線受陰極結構參數變化的影響程 度 ，其中著重考慮 了 以下幾個參數：催化層的孔隙率，浸漬聚集體薄膜的厚 度 ，浸漬聚集體的半徑，浸漬聚集體在催化層中的體積分數。 所以本文採用 了 ftcs有限差分格式方法，利用二維三分量軸對稱，對空間飛行體與壓縮區內等離子體非穩態相互作用過程進行數值模擬，得到 了 電 荷 密 度 擾動與 電 場的變化情況。 摘要 電 流 密 度 矢量場也滿足疊加原理，給出 了 一些應用 電 流 密 度 場疊加原理的例子。 本文首次建立 了 晶界勢壘高 度 與伏安特性參數之間的關系，提出 了 陷阱效應在沖擊老化過程的作用模型，引入 了 「臨界陷阱 電 荷 密 度 」的概念。 在傳統流道設計的pemfc中，反應物從流道到催化層的供應和生成物從催化層到流道的排出主要是以擴散為主，而在交叉梳狀流道設計中，以流動帶動的對流傳遞則占據 了 主導地位，而且這種以對流為主的傳遞機理大大提高 了 反應物和產物傳遞速率，從而有效地改善 了 電 池的極限 電 流 密 度 和極化性能等特性。 結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。 相似字 英漢推薦 漢英推薦 電療儀 電療浴缸 電寥 電療法的 電療科 電牙科器械 cantle cherbrun kequan verb of sensation kin-shou adhs automatic data handling system burn up ivan carminati waiting for a cup of hot milk tea yves carcelle unexpired cost 接地引線 等截面拱形梁 絞盡腦汗 裂變過程 無窮花號 擾性印製線路 釀大米 傀儡 法基內利 倉前嶺 薩賈德 分享友人 分享到 Line 分享到臉書 (C) 2015-2021 Dict.site 線上英文字典
7. In this paper, we focus on the following three topics : ( i ) density distribution of dusty plasma in the low - pressure collisionless positive column the radial density distributions of electron, ion and dust particle in the low - pressure collisionless positive column are investigated with a fluid theory and a self - consistent dust - charging model
   本文著重以下三個方面的研究： （ ）低氣壓無碰撞輝光放 電 正柱區塵埃等離子體 密 度 徑向分佈本文採用流體模型和自洽的塵埃充 電 模型，研究 了 低氣壓無碰撞輝光放 電 正柱區的 電 子 密 度 、離子 密 度 和塵埃粒子 密 度 的徑向分佈。 給出 了 電 子 密 度 的隱式表達式和閾 電 壓的顯式表達式，它們都充分考慮 了 量子力學效應。 介紹 了 數值計算方法，包括靜 電 磁場的數值計算、在靜 電 靜磁場中 電 子運動軌跡的數值計算、空間 電 荷 密 度 的數值計算和空間 電 位分佈的數值計算;介紹 了 邊界處理方法。 利用有限元定量地模擬 了 整個試件的 電 流 密 度 分佈狀況，闡述 了 沉積物在裂紋尖端的沉積狀況及其原因。 在 電 學模擬過程中，對比 了 不同條寬和不同阻擋層材料下的互連線的溫 度 、 電 流 密 度 分佈，以及不同通孔傾角下、不同阻擋層材料下的通孔的溫 度 、 電 流 密 度 分佈。 然後通過比較和分析 電 流 密 度 比補償型、弱反型工作型和多晶硅柵功函數差型三種帶隙 電 壓基準源 電 路結構的優缺點，確定 了 電 流 密 度 比補償型共源共柵結構作為本設計核心 電 路結構，運用負反饋技術設計 了 基準輸出緩沖 電 路、輸出 電 壓倍乘 電 路，改善 了 核心 電 路的帶負載能力和 電 流驅動能力。 本文首先運用tffa模型描述直接甲醇燃料 電 池（ dmfc ）陰極氧氣的傳遞和 電 化學反應過程，研究 了 過 電 位- 電 流 密 度 曲線受陰極結構參數變化的影響程 度 ，其中著重考慮 了 以下幾個參數：催化層的孔隙率，浸漬聚集體薄膜的厚 度 ，浸漬聚集體的半徑，浸漬聚集體在催化層中的體積分數。 所以本文採用 了 ftcs有限差分格式方法，利用二維三分量軸對稱，對空間飛行體與壓縮區內等離子體非穩態相互作用過程進行數值模擬，得到 了 電 荷 密 度 擾動與 電 場的變化情況。 摘要 電 流 密 度 矢量場也滿足疊加原理，給出 了 一些應用 電 流 密 度 場疊加原理的例子。 本文首次建立 了 晶界勢壘高 度 與伏安特性參數之間的關系，提出 了 陷阱效應在沖擊老化過程的作用模型，引入 了 「臨界陷阱 電 荷 密 度 」的概念。 在傳統流道設計的pemfc中，反應物從流道到催化層的供應和生成物從催化層到流道的排出主要是以擴散為主，而在交叉梳狀流道設計中，以流動帶動的對流傳遞則占據 了 主導地位，而且這種以對流為主的傳遞機理大大提高 了 反應物和產物傳遞速率，從而有效地改善 了 電 池的極限 電 流 密 度 和極化性能等特性。 結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。 相似字 英漢推薦 漢英推薦 電療儀 電療浴缸 電寥 電療法的 電療科 電牙科器械 cantle cherbrun kequan verb of sensation kin-shou adhs automatic data handling system burn up ivan carminati waiting for a cup of hot milk tea yves carcelle unexpired cost 接地引線 等截面拱形梁 絞盡腦汗 裂變過程 無窮花號 擾性印製線路 釀大米 傀儡 法基內利 倉前嶺 薩賈德 分享友人 分享到 Line 分享到臉書 (C) 2015-2021 Dict.site 線上英文字典
8. Then, an implicit expression for electron density and a closed form of threshold voltage are presented fully comprising quantum mechanical ( qm ) effects
   給出 了 電 子 密 度 的隱式表達式和閾 電 壓的顯式表達式，它們都充分考慮 了 量子力學效應。 介紹 了 數值計算方法，包括靜 電 磁場的數值計算、在靜 電 靜磁場中 電 子運動軌跡的數值計算、空間 電 荷 密 度 的數值計算和空間 電 位分佈的數值計算;介紹 了 邊界處理方法。 利用有限元定量地模擬 了 整個試件的 電 流 密 度 分佈狀況，闡述 了 沉積物在裂紋尖端的沉積狀況及其原因。 在 電 學模擬過程中，對比 了 不同條寬和不同阻擋層材料下的互連線的溫 度 、 電 流 密 度 分佈，以及不同通孔傾角下、不同阻擋層材料下的通孔的溫 度 、 電 流 密 度 分佈。 然後通過比較和分析 電 流 密 度 比補償型、弱反型工作型和多晶硅柵功函數差型三種帶隙 電 壓基準源 電 路結構的優缺點，確定 了 電 流 密 度 比補償型共源共柵結構作為本設計核心 電 路結構，運用負反饋技術設計 了 基準輸出緩沖 電 路、輸出 電 壓倍乘 電 路，改善 了 核心 電 路的帶負載能力和 電 流驅動能力。 本文首先運用tffa模型描述直接甲醇燃料 電 池（ dmfc ）陰極氧氣的傳遞和 電 化學反應過程，研究 了 過 電 位- 電 流 密 度 曲線受陰極結構參數變化的影響程 度 ，其中著重考慮 了 以下幾個參數：催化層的孔隙率，浸漬聚集體薄膜的厚 度 ，浸漬聚集體的半徑，浸漬聚集體在催化層中的體積分數。 所以本文採用 了 ftcs有限差分格式方法，利用二維三分量軸對稱，對空間飛行體與壓縮區內等離子體非穩態相互作用過程進行數值模擬，得到 了 電 荷 密 度 擾動與 電 場的變化情況。 摘要 電 流 密 度 矢量場也滿足疊加原理，給出 了 一些應用 電 流 密 度 場疊加原理的例子。 本文首次建立 了 晶界勢壘高 度 與伏安特性參數之間的關系，提出 了 陷阱效應在沖擊老化過程的作用模型，引入 了 「臨界陷阱 電 荷 密 度 」的概念。 在傳統流道設計的pemfc中，反應物從流道到催化層的供應和生成物從催化層到流道的排出主要是以擴散為主，而在交叉梳狀流道設計中，以流動帶動的對流傳遞則占據 了 主導地位，而且這種以對流為主的傳遞機理大大提高 了 反應物和產物傳遞速率，從而有效地改善 了 電 池的極限 電 流 密 度 和極化性能等特性。 結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。 相似字 英漢推薦 漢英推薦 電療儀 電療浴缸 電寥 電療法的 電療科 電牙科器械 cantle cherbrun kequan verb of sensation kin-shou adhs automatic data handling system burn up ivan carminati waiting for a cup of hot milk tea yves carcelle unexpired cost 接地引線 等截面拱形梁 絞盡腦汗 裂變過程 無窮花號 擾性印製線路 釀大米 傀儡 法基內利 倉前嶺 薩賈德 分享友人 分享到 Line 分享到臉書 (C) 2015-2021 Dict.site 線上英文字典
9. The numerical computing methods of the equations involving the static electric - magnetic field, electronic motion in the static electric - magnetic field, and so on are detailed. the methods of the boundary disposal are introduced. the phenomenon of secondary electron emission has also been studied
   介紹 了 數值計算方法，包括靜 電 磁場的數值計算、在靜 電 靜磁場中 電 子運動軌跡的數值計算、空間 電 荷 密 度 的數值計算和空間 電 位分佈的數值計算;介紹 了 邊界處理方法。 利用有限元定量地模擬 了 整個試件的 電 流 密 度 分佈狀況，闡述 了 沉積物在裂紋尖端的沉積狀況及其原因。 在 電 學模擬過程中，對比 了 不同條寬和不同阻擋層材料下的互連線的溫 度 、 電 流 密 度 分佈，以及不同通孔傾角下、不同阻擋層材料下的通孔的溫 度 、 電 流 密 度 分佈。 然後通過比較和分析 電 流 密 度 比補償型、弱反型工作型和多晶硅柵功函數差型三種帶隙 電 壓基準源 電 路結構的優缺點，確定 了 電 流 密 度 比補償型共源共柵結構作為本設計核心 電 路結構，運用負反饋技術設計 了 基準輸出緩沖 電 路、輸出 電 壓倍乘 電 路，改善 了 核心 電 路的帶負載能力和 電 流驅動能力。 本文首先運用tffa模型描述直接甲醇燃料 電 池（ dmfc ）陰極氧氣的傳遞和 電 化學反應過程，研究 了 過 電 位- 電 流 密 度 曲線受陰極結構參數變化的影響程 度 ，其中著重考慮 了 以下幾個參數：催化層的孔隙率，浸漬聚集體薄膜的厚 度 ，浸漬聚集體的半徑，浸漬聚集體在催化層中的體積分數。 所以本文採用 了 ftcs有限差分格式方法，利用二維三分量軸對稱，對空間飛行體與壓縮區內等離子體非穩態相互作用過程進行數值模擬，得到 了 電 荷 密 度 擾動與 電 場的變化情況。 摘要 電 流 密 度 矢量場也滿足疊加原理，給出 了 一些應用 電 流 密 度 場疊加原理的例子。 本文首次建立 了 晶界勢壘高 度 與伏安特性參數之間的關系，提出 了 陷阱效應在沖擊老化過程的作用模型，引入 了 「臨界陷阱 電 荷 密 度 」的概念。 在傳統流道設計的pemfc中，反應物從流道到催化層的供應和生成物從催化層到流道的排出主要是以擴散為主，而在交叉梳狀流道設計中，以流動帶動的對流傳遞則占據 了 主導地位，而且這種以對流為主的傳遞機理大大提高 了 反應物和產物傳遞速率，從而有效地改善 了 電 池的極限 電 流 密 度 和極化性能等特性。 結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。 相似字 英漢推薦 漢英推薦 電療儀 電療浴缸 電寥 電療法的 電療科 電牙科器械 cantle cherbrun kequan verb of sensation kin-shou adhs automatic data handling system burn up ivan carminati waiting for a cup of hot milk tea yves carcelle unexpired cost 接地引線 等截面拱形梁 絞盡腦汗 裂變過程 無窮花號 擾性印製線路 釀大米 傀儡 法基內利 倉前嶺 薩賈德 分享友人 分享到 Line 分享到臉書 (C) 2015-2021 Dict.site 線上英文字典
10. Finite element method ( fem ) is used to quantificationally simulate the current density distribution of the whole cfrc sample, and to explain the mechanism and reason for precipitations " depositing in the crack tip
    利用有限元定量地模擬 了 整個試件的 電 流 密 度 分佈狀況，闡述 了 沉積物在裂紋尖端的沉積狀況及其原因。 在 電 學模擬過程中，對比 了 不同條寬和不同阻擋層材料下的互連線的溫 度 、 電 流 密 度 分佈，以及不同通孔傾角下、不同阻擋層材料下的通孔的溫 度 、 電 流 密 度 分佈。 然後通過比較和分析 電 流 密 度 比補償型、弱反型工作型和多晶硅柵功函數差型三種帶隙 電 壓基準源 電 路結構的優缺點，確定 了 電 流 密 度 比補償型共源共柵結構作為本設計核心 電 路結構，運用負反饋技術設計 了 基準輸出緩沖 電 路、輸出 電 壓倍乘 電 路，改善 了 核心 電 路的帶負載能力和 電 流驅動能力。 本文首先運用tffa模型描述直接甲醇燃料 電 池（ dmfc ）陰極氧氣的傳遞和 電 化學反應過程，研究 了 過 電 位- 電 流 密 度 曲線受陰極結構參數變化的影響程 度 ，其中著重考慮 了 以下幾個參數：催化層的孔隙率，浸漬聚集體薄膜的厚 度 ，浸漬聚集體的半徑，浸漬聚集體在催化層中的體積分數。 所以本文採用 了 ftcs有限差分格式方法，利用二維三分量軸對稱，對空間飛行體與壓縮區內等離子體非穩態相互作用過程進行數值模擬，得到 了 電 荷 密 度 擾動與 電 場的變化情況。 摘要 電 流 密 度 矢量場也滿足疊加原理，給出 了 一些應用 電 流 密 度 場疊加原理的例子。 本文首次建立 了 晶界勢壘高 度 與伏安特性參數之間的關系，提出 了 陷阱效應在沖擊老化過程的作用模型，引入 了 「臨界陷阱 電 荷 密 度 」的概念。 在傳統流道設計的pemfc中，反應物從流道到催化層的供應和生成物從催化層到流道的排出主要是以擴散為主，而在交叉梳狀流道設計中，以流動帶動的對流傳遞則占據 了 主導地位，而且這種以對流為主的傳遞機理大大提高 了 反應物和產物傳遞速率，從而有效地改善 了 電 池的極限 電 流 密 度 和極化性能等特性。 結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。 相似字 英漢推薦 漢英推薦 電療儀 電療浴缸 電寥 電療法的 電療科 電牙科器械 cantle cherbrun kequan verb of sensation kin-shou adhs automatic data handling system burn up ivan carminati waiting for a cup of hot milk tea yves carcelle unexpired cost 接地引線 等截面拱形梁 絞盡腦汗 裂變過程 無窮花號 擾性印製線路 釀大米 傀儡 法基內利 倉前嶺 薩賈德 分享友人 分享到 Line 分享到臉書 (C) 2015-2021 Dict.site 線上英文字典
11. The electrical simulation compared the temperature and the current density distribution in copper lines with different width and barrier materials, the result indicating that the maximum temperature locates in the middle of the line and the 20 - degree obliquity is the most optimum one in the pore structure
    在 電 學模擬過程中，對比 了 不同條寬和不同阻擋層材料下的互連線的溫 度 、 電 流 密 度 分佈，以及不同通孔傾角下、不同阻擋層材料下的通孔的溫 度 、 電 流 密 度 分佈。 然後通過比較和分析 電 流 密 度 比補償型、弱反型工作型和多晶硅柵功函數差型三種帶隙 電 壓基準源 電 路結構的優缺點，確定 了 電 流 密 度 比補償型共源共柵結構作為本設計核心 電 路結構，運用負反饋技術設計 了 基準輸出緩沖 電 路、輸出 電 壓倍乘 電 路，改善 了 核心 電 路的帶負載能力和 電 流驅動能力。 本文首先運用tffa模型描述直接甲醇燃料 電 池（ dmfc ）陰極氧氣的傳遞和 電 化學反應過程，研究 了 過 電 位- 電 流 密 度 曲線受陰極結構參數變化的影響程 度 ，其中著重考慮 了 以下幾個參數：催化層的孔隙率，浸漬聚集體薄膜的厚 度 ，浸漬聚集體的半徑，浸漬聚集體在催化層中的體積分數。 所以本文採用 了 ftcs有限差分格式方法，利用二維三分量軸對稱，對空間飛行體與壓縮區內等離子體非穩態相互作用過程進行數值模擬，得到 了 電 荷 密 度 擾動與 電 場的變化情況。 摘要 電 流 密 度 矢量場也滿足疊加原理，給出 了 一些應用 電 流 密 度 場疊加原理的例子。 本文首次建立 了 晶界勢壘高 度 與伏安特性參數之間的關系，提出 了 陷阱效應在沖擊老化過程的作用模型，引入 了 「臨界陷阱 電 荷 密 度 」的概念。 在傳統流道設計的pemfc中，反應物從流道到催化層的供應和生成物從催化層到流道的排出主要是以擴散為主，而在交叉梳狀流道設計中，以流動帶動的對流傳遞則占據 了 主導地位，而且這種以對流為主的傳遞機理大大提高 了 反應物和產物傳遞速率，從而有效地改善 了 電 池的極限 電 流 密 度 和極化性能等特性。 結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。 相似字 英漢推薦 漢英推薦 電療儀 電療浴缸 電寥 電療法的 電療科 電牙科器械 cantle cherbrun kequan verb of sensation kin-shou adhs automatic data handling system burn up ivan carminati waiting for a cup of hot milk tea yves carcelle unexpired cost 接地引線 等截面拱形梁 絞盡腦汗 裂變過程 無窮花號 擾性印製線路 釀大米 傀儡 法基內利 倉前嶺 薩賈德 分享友人 分享到 Line 分享到臉書 (C) 2015-2021 Dict.site 線上英文字典
12. By comparing and analyzing the advantages and disadvantages of three kinds of voltage reference circuits, type of current density ratio compensation 、 weak inversion type and type of poly gate work function, a cascode structure of type of current density ratio compensation is chosen to form the core of voltage reference circuit designed in this paper. applying the negative feedback technology, an output buffer and multiply by - 2 - circuits are designed, which improve the current driving capability
    然後通過比較和分析 電 流 密 度 比補償型、弱反型工作型和多晶硅柵功函數差型三種帶隙 電 壓基準源 電 路結構的優缺點，確定 了 電 流 密 度 比補償型共源共柵結構作為本設計核心 電 路結構，運用負反饋技術設計 了 基準輸出緩沖 電 路、輸出 電 壓倍乘 電 路，改善 了 核心 電 路的帶負載能力和 電 流驅動能力。 本文首先運用tffa模型描述直接甲醇燃料 電 池（ dmfc ）陰極氧氣的傳遞和 電 化學反應過程，研究 了 過 電 位- 電 流 密 度 曲線受陰極結構參數變化的影響程 度 ，其中著重考慮 了 以下幾個參數：催化層的孔隙率，浸漬聚集體薄膜的厚 度 ，浸漬聚集體的半徑，浸漬聚集體在催化層中的體積分數。 所以本文採用 了 ftcs有限差分格式方法，利用二維三分量軸對稱，對空間飛行體與壓縮區內等離子體非穩態相互作用過程進行數值模擬，得到 了 電 荷 密 度 擾動與 電 場的變化情況。 摘要 電 流 密 度 矢量場也滿足疊加原理，給出 了 一些應用 電 流 密 度 場疊加原理的例子。 本文首次建立 了 晶界勢壘高 度 與伏安特性參數之間的關系，提出 了 陷阱效應在沖擊老化過程的作用模型，引入 了 「臨界陷阱 電 荷 密 度 」的概念。 在傳統流道設計的pemfc中，反應物從流道到催化層的供應和生成物從催化層到流道的排出主要是以擴散為主，而在交叉梳狀流道設計中，以流動帶動的對流傳遞則占據 了 主導地位，而且這種以對流為主的傳遞機理大大提高 了 反應物和產物傳遞速率，從而有效地改善 了 電 池的極限 電 流 密 度 和極化性能等特性。 結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。 相似字 英漢推薦 漢英推薦 電療儀 電療浴缸 電寥 電療法的 電療科 電牙科器械 cantle cherbrun kequan verb of sensation kin-shou adhs automatic data handling system burn up ivan carminati waiting for a cup of hot milk tea yves carcelle unexpired cost 接地引線 等截面拱形梁 絞盡腦汗 裂變過程 無窮花號 擾性印製線路 釀大米 傀儡 法基內利 倉前嶺 薩賈德 分享友人 分享到 Line 分享到臉書 (C) 2015-2021 Dict.site 線上英文字典
13. Oxygen diffusion transport and electrochemical reaction in the oxygen cathode of direct methanol fuel cell ( dmfc ) have been expressed with the tffa model. model calculation has been carried out to investigate the effects of structural parameters of the dmfc cathode on the electrode performance, which is respectively represented by the curve of cathode overpotential versus current density. much attention has been paid to parameters including the porosity of the reaction layer, the thickness of the thin - film on the flooded - agglomerate, the radius of the flooded - agglomerate, the volume fraction of the flooded - agglomerates in the reaction layer
    本文首先運用tffa模型描述直接甲醇燃料 電 池（ dmfc ）陰極氧氣的傳遞和 電 化學反應過程，研究 了 過 電 位- 電 流 密 度 曲線受陰極結構參數變化的影響程 度 ，其中著重考慮 了 以下幾個參數：催化層的孔隙率，浸漬聚集體薄膜的厚 度 ，浸漬聚集體的半徑，浸漬聚集體在催化層中的體積分數。 所以本文採用 了 ftcs有限差分格式方法，利用二維三分量軸對稱，對空間飛行體與壓縮區內等離子體非穩態相互作用過程進行數值模擬，得到 了 電 荷 密 度 擾動與 電 場的變化情況。 摘要 電 流 密 度 矢量場也滿足疊加原理，給出 了 一些應用 電 流 密 度 場疊加原理的例子。 本文首次建立 了 晶界勢壘高 度 與伏安特性參數之間的關系，提出 了 陷阱效應在沖擊老化過程的作用模型，引入 了 「臨界陷阱 電 荷 密 度 」的概念。 在傳統流道設計的pemfc中，反應物從流道到催化層的供應和生成物從催化層到流道的排出主要是以擴散為主，而在交叉梳狀流道設計中，以流動帶動的對流傳遞則占據 了 主導地位，而且這種以對流為主的傳遞機理大大提高 了 反應物和產物傳遞速率，從而有效地改善 了 電 池的極限 電 流 密 度 和極化性能等特性。 結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。 相似字 英漢推薦 漢英推薦 電療儀 電療浴缸 電寥 電療法的 電療科 電牙科器械 cantle cherbrun kequan verb of sensation kin-shou adhs automatic data handling system burn up ivan carminati waiting for a cup of hot milk tea yves carcelle unexpired cost 接地引線 等截面拱形梁 絞盡腦汗 裂變過程 無窮花號 擾性印製線路 釀大米 傀儡 法基內利 倉前嶺 薩賈德 分享友人 分享到 Line 分享到臉書 (C) 2015-2021 Dict.site 線上英文字典
14. In this paper, based on the amplitude transport equation of fast varying field and the low frequency disturbance equation of electr on density, the evolutions of the density distribution of charged particles and the collapse of electric field have been calculated numerically in two dimensions with three field components under the condition of transverse wave
    所以本文採用 了 ftcs有限差分格式方法，利用二維三分量軸對稱，對空間飛行體與壓縮區內等離子體非穩態相互作用過程進行數值模擬，得到 了 電 荷 密 度 擾動與 電 場的變化情況。 摘要 電 流 密 度 矢量場也滿足疊加原理，給出 了 一些應用 電 流 密 度 場疊加原理的例子。 本文首次建立 了 晶界勢壘高 度 與伏安特性參數之間的關系，提出 了 陷阱效應在沖擊老化過程的作用模型，引入 了 「臨界陷阱 電 荷 密 度 」的概念。 在傳統流道設計的pemfc中，反應物從流道到催化層的供應和生成物從催化層到流道的排出主要是以擴散為主，而在交叉梳狀流道設計中，以流動帶動的對流傳遞則占據 了 主導地位，而且這種以對流為主的傳遞機理大大提高 了 反應物和產物傳遞速率，從而有效地改善 了 電 池的極限 電 流 密 度 和極化性能等特性。 結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。 相似字 英漢推薦 漢英推薦 電療儀 電療浴缸 電寥 電療法的 電療科 電牙科器械 cantle cherbrun kequan verb of sensation kin-shou adhs automatic data handling system burn up ivan carminati waiting for a cup of hot milk tea yves carcelle unexpired cost 接地引線 等截面拱形梁 絞盡腦汗 裂變過程 無窮花號 擾性印製線路 釀大米 傀儡 法基內利 倉前嶺 薩賈德 分享友人 分享到 Line 分享到臉書 (C) 2015-2021 Dict.site 線上英文字典
15. The electric current density vector field also satisfies superposition principle, some applications thereof are introduced
    摘要 電 流 密 度 矢量場也滿足疊加原理，給出 了 一些應用 電 流 密 度 場疊加原理的例子。 本文首次建立 了 晶界勢壘高 度 與伏安特性參數之間的關系，提出 了 陷阱效應在沖擊老化過程的作用模型，引入 了 「臨界陷阱 電 荷 密 度 」的概念。 在傳統流道設計的pemfc中，反應物從流道到催化層的供應和生成物從催化層到流道的排出主要是以擴散為主，而在交叉梳狀流道設計中，以流動帶動的對流傳遞則占據 了 主導地位，而且這種以對流為主的傳遞機理大大提高 了 反應物和產物傳遞速率，從而有效地改善 了 電 池的極限 電 流 密 度 和極化性能等特性。 結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。 相似字 英漢推薦 漢英推薦 電療儀 電療浴缸 電寥 電療法的 電療科 電牙科器械 cantle cherbrun kequan verb of sensation kin-shou adhs automatic data handling system burn up ivan carminati waiting for a cup of hot milk tea yves carcelle unexpired cost 接地引線 等截面拱形梁 絞盡腦汗 裂變過程 無窮花號 擾性印製線路 釀大米 傀儡 法基內利 倉前嶺 薩賈德 分享友人 分享到 Line 分享到臉書 (C) 2015-2021 Dict.site 線上英文字典
16. To analysis the principle of degradation and destruction, a reasonable relationship between the electrostatic potential and 1 - v characteristic parameters is raised ; a computation model for electron trap effect is originally proposed, which leads to a conception of critical trap electron density
    本文首次建立 了 晶界勢壘高 度 與伏安特性參數之間的關系，提出 了 陷阱效應在沖擊老化過程的作用模型，引入 了 「臨界陷阱 電 荷 密 度 」的概念。 在傳統流道設計的pemfc中，反應物從流道到催化層的供應和生成物從催化層到流道的排出主要是以擴散為主，而在交叉梳狀流道設計中，以流動帶動的對流傳遞則占據 了 主導地位，而且這種以對流為主的傳遞機理大大提高 了 反應物和產物傳遞速率，從而有效地改善 了 電 池的極限 電 流 密 度 和極化性能等特性。 結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。 相似字 英漢推薦 漢英推薦 電療儀 電療浴缸 電寥 電療法的 電療科 電牙科器械 cantle cherbrun kequan verb of sensation kin-shou adhs automatic data handling system burn up ivan carminati waiting for a cup of hot milk tea yves carcelle unexpired cost 接地引線 等截面拱形梁 絞盡腦汗 裂變過程 無窮花號 擾性印製線路 釀大米 傀儡 法基內利 倉前嶺 薩賈德 分享友人 分享到 Line 分享到臉書
17. The flow characteristics, distributions of current density and chemical components, and the performance of these two different designs are calculated and compared. the flow and mass transport characteristics are analyzed in detail, which indicate that strong forced convection is produced in the interdigitated flow field, which consist of dead - end gas channel that force the gases through the porous electrodes. results of comparison show that forced convection induced by the interdigitated flow field in the diffusion layer effectively enhances mass transport of reactants and products, thus leading to a higher cell performance and the limiting current density
    在傳統流道設計的pemfc中，反應物從流道到催化層的供應和生成物從催化層到流道的排出主要是以擴散為主，而在交叉梳狀流道設計中，以流動帶動的對流傳遞則占據 了 主導地位，而且這種以對流為主的傳遞機理大大提高 了 反應物和產物傳遞速率，從而有效地改善 了 電 池的極限 電 流 密 度 和極化性能等特性。 結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。 相似字 英漢推薦 漢英推薦 電療儀 電療浴缸 電寥 電療法的 電療科 電牙科器械 cantle cherbrun kequan verb of sensation kin-shou adhs automatic data handling system burn up ivan carminati waiting for a cup of hot milk tea yves carcelle unexpired cost 接地引線 等截面拱形梁 絞盡腦汗 裂變過程 無窮花號 擾性印製線路 釀大米 傀儡 法基內利 倉前嶺 薩賈德
18. Compared to other commonly referenced high - k materials, hfo2 is known for its stability on silicon and process compatibility. the fabrication and electrical properties of hfo2 and hfoxny gate are carefully studied. with the study on hfo2. we can receive a few significative conclusion : 1
    結果表明，與傳統的hf清洗的si表面相比， nh _ 4f清洗的si表面與hfo _ 2具有更好的熱力學穩定性，因而可獲得更低的eot和柵泄漏 電 流 密 度 ； 3 ）研究 了 濺射氣氛和退火工藝對hfo _ 2柵介質薄膜性質的影響。 最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。
19. The results show that high inlet velocity and porosity is favorable for fuel cell performance. based on above - mentioned 3 - d mathematical model, a comparison study of pemfc with conventional and interdigitated flow fields has been conducted at last
    最後，基於前面建立的數學模型，比較和計算 了 傳統流道設計和交叉梳狀流道設計pem燃料 電 池的流場、 電 流 密 度 和物料等的多維分佈。 在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。
20. In the third chapter, the influence of current density, solution concentration, erosion time and aging in ambient air on the pl spectra of ps suggests that peak would blue shift with current density increasing, and with erosion time and aging time prolonging ; with the increasing of solution concentration, peaks would red shift when solution concentration less than 1 : 1 but blue shift when solution concentration greater than 1 : 1. above phenomena can be explained by quantum confinement and light center model, but do not deny the action of si - h bonding and defect on the surface in the process of photoluminescence. at present, radiation mechanism is still one of the primary problems in the study of ps
    在第z三章中；通過對比，分析 了 電 流 密 度 、陽極化時間、溶液濃 度 以及自i然氧化時間對多孔硅光致發光光譜的影響，認為在一定的范圍內，多i孔硅的發光峰位會隨 電 流 密 度 的增大而藍移，要獲得較強的發光，需z要選擇合適的 電 流 密 度 ；隨著腐蝕時間的延長，多孔硅的發光峰位會i發生藍移；當f酸的濃 度 較小q ： 1 ）時，峰位隨濃 度 的增大表現為向i低能移動；而當f酸的濃 度 較大河山時，峰位隨濃 度 的增大則表現z為移向高能；多孔硅在空氣中自然氧化；其發光峰位發生藍移，而強i 度 隨放置時間的延長而降低。

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